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| 生命周期： | Active | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-CSSO-G2 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.65 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 75 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 100 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 14 A | 最大漏极电流 (ID)： | 14 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.21 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-CSSO-G2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 44 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SFF130J | SSDI |
获取价格 |
14 AMP / 100 Volts 0.16OHM N-Channel POWER MOSFET |
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| SFF130JGZ | SSDI |
获取价格 |
Transistor |
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| SFF130JL | SSDI |
获取价格 |
Transistor |
|
| SFF130M6GZ | SSDI |
获取价格 |
Transistor |
|
| SFF130MGZ | SSDI |
获取价格 |
Transistor |
|
| SFF130S.5 | SSDI |
获取价格 |
14 A, 100 V, 0.18 Ω Avalanche Rated N-Channel |
|
| SFF130T | SSDI |
获取价格 |
Transistor |
|
| SFF130TXV | SSDI |
获取价格 |
暂无描述 |
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| SFF1310M | SSDI |
获取价格 |
40 AMPS 200 VOLTS 0.050 ヘ N-CHANNEL POWER MOS |
|
| SFF1310Z | SSDI |
获取价格 |
40 AMPS 200 VOLTS 0.050 ヘ N-CHANNEL POWER MOS |
|
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