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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SCTH35N65G2V-7 | STMICROELECTRONICS |
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碳化硅功率MOSFET，650 V、45 A、55 mOhm（典型值，TJ = 25 C） |
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| SCTH35N65G2V-7AG | STMICROELECTRONICS |
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汽车级碳化硅功率MOSFET，650 V、45 A、55 mOhm（典型值，TJ = 25 |
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| SCTH40N120G2V-7 | STMICROELECTRONICS |
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Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 62 mOhm typ., 36 A in an H2PAK-7 package |
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| SCTH40N120G2V7AG | STMICROELECTRONICS |
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汽车级碳化硅功率MOSFET，1200 V、33 A、75 mOhm（典型值，TJ = 2 |
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| SCTH60N120G2-7 | STMICROELECTRONICS |
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Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 35 mOhm typ., 60 A in an H2PAK-7 package |
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| SCTH70N120G2V-7 | STMICROELECTRONICS |
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Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 21 mOhm typ., 90 A in an H2PAK-7 package |
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| SCTH90N65G2V-7 | STMICROELECTRONICS |
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碳化硅功率MOSFET，650 V、116 A、18 mOhm（典型值，TJ = 25°C |
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| SCTHS200N120G3AG | STMICROELECTRONICS |
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汽车级碳化硅功率MOSFET，1200 V、20 mOhm（典型值），90 A，TPAK封 |
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| SCTHS250N65G2G | STMICROELECTRONICS |
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Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 8 mOhm typ., 250 A in a STPAK package |
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| SCTHS250N65G3 | STMICROELECTRONICS |
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Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 6.7 mOhm typ., 207 A in a STPAK packa |
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