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Datasheet > 二极管 > 整流二极管> SBR10U200P5-13
SBR10U200P5-13 PDF预览

SBR10U200P5-13

更新时间： 2024-09-14 07:03:51
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES 整流二极管光电二极管软恢复二极管快速软恢复二极管
页数 文件大小 规格书
3页 76K
描述
10.0A SBR® SUPER BARRIER RECTIFIER PowerDI®5

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SBR10U200P5-13 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：GREEN, PLASTIC, POWERDI5, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：1.12Is Samacsys：N
应用：FAST SOFT RECOVERY外壳连接：CATHODE
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：0.67 V
JESD-30 代码：R-PDSO-F3JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1最大非重复峰值正向电流：180 A
元件数量：1相数：1
端子数量：3最高工作温度：175 °C
最低工作温度：-65 °C最大输出电流：10 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：200 V
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：FLAT
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
Base Number Matches：1

SBR10U200P5-13 数据手册

 浏览型号SBR10U200P5-13的Datasheet PDF文件第2页浏览型号SBR10U200P5-13的Datasheet PDF文件第3页 
SBR10U200P5  
10.0A SBR®  
SUPER BARRIER RECTIFIER  
PowerDI®5  
Please click here to visit our online spice models database.  
Features  
Mechanical Data  
•
•
•
•
•
•
•
Ultra Low Forward Voltage Drop  
•
•
Case: PowerDI®5  
Excellent High Temperature Stability  
Patented Super Barrier Rectifier Technology  
Soft, Fast Switching Capability  
175ºC Operating Junction Temperature  
Lead Free Finish, RoHS Compliant (Note 1)  
“Green” Molding Compound (No Br, Sb)  
Case Material: Molded Plastic, “Green” Molding Compound.  
UL Flammability Classification Rating 94V-0  
•
•
Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020D  
Terminals: Matte Tin Finish annealed over Copper leadframe.  
Solderable per MIL-STD-202, Method 208  
•
•
•
•
Polarity: See Diagram  
Marking Information: See Page 3  
Ordering Information: See Page 3  
Weight: 0.093 grams (approximate)  
LEFT PIN  
BOTTOMSIDE  
HEAT SINK  
RIGHT PIN  
Note: Pins Left & Right must  
be electrically connected  
at the printed circuit board.  
Top View  
Bottom View  
Maximum Ratings @T = 25°C unless otherwise specified  
A
Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.  
For capacitance load, derate current by 20%.  
Characteristic  
Symbol  
Value  
Unit  
VRRM  
VRWM  
VRM  
IO  
Peak Repetitive Reverse Voltage  
Working Peak Reverse Voltage  
DC Blocking Voltage  
200  
V
Average Rectified Output Current (See Figure 1)  
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current 8.3ms  
Single Half Sine-Wave Superimposed on Rated Load  
10  
A
A
180  
IFSM  
Thermal Characteristics  
Characteristic  
Maximum Thermal Resistance Junction to Ambient (Note 2)  
Operating and Storage Temperature Range  
Symbol  
Value  
77  
Unit  
ºC/W  
ºC  
Rθ  
JA  
-65 to +175  
TJ, TSTG  
Electrical Characteristics @T = 25°C unless otherwise specified  
A
Characteristic  
Symbol  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
Test Condition  
IF = 5A, TJ = 25ºC  
IF = 5A, TJ = 125ºC  
IF = 10A, TJ = 25ºC  
VR = 200V, TJ = 25ºC  
VR = 200V, TJ = 125ºC  
-
-
-
0.75  
0.62  
0.83  
0.82  
0.67  
0.88  
Forward Voltage Drop  
V
VF  
-
0.1  
10  
Leakage Current (Note 5)  
Notes:  
-
mA  
IR  
0.18  
1. EU Directive 2002/95/EC (RoHS). All applicable RoHS exemptions applied. Please visit our website at http://www.diodes.com/products/lead_free.html.  
2. Polymide PCB, 2 oz. Copper, minimum recommended pad layout per http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf.  
3. Short duration pulse test used to minimize self-heating effect.  
SBR and PowerDI are registered trademarks of Diodes Incorporated.  
1 of 3  
www.diodes.com  
March 2009  
© Diodes Incorporated  
SBR10U200P5  
Document number: DS31234 Rev. 4 - 2  
123

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SBR10U200P5-13 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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