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SBR10U45SD1

更新时间： 2024-09-15 09:34:11
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES 整流二极管
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3页 92K
描述
10A SBR? SUPER BARRIER RECTIFIER

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SBR10U45SD1 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：DO-201AD
包装说明：ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2针数：2
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.4
Is Samacsys：N应用：GENERAL PURPOSE
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.41 VJEDEC-95代码：DO-201AD
JESD-30 代码：O-PALF-W2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1最大非重复峰值正向电流：200 A
元件数量：1相数：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-65 °C最大输出电流：10 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：LONG FORM峰值回流温度（摄氏度）：260
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：45 V
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：NO
端子面层：MATTE TIN端子形式：WIRE
端子位置：AXIAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
Base Number Matches：1

SBR10U45SD1 数据手册

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SBR10U45SD1  
10A SBR®  
SUPER BARRIER RECTIFIER  
Features  
Mechanical Data  
•
•
Designed as Bypass Diodes for Solar Panels  
Selectively Rated for 200ºC Maximum Junction Temperature  
for High Thermal Reliability  
•
•
Case: DO-201AD  
Case Material: Molded Plastic, UL Flammability Classification  
Rating 94V-0  
•
•
•
•
•
Patented Super Barrier Rectifier Technology  
High Forward Surge Capability  
Ultra Low Forward Voltage Drop  
Excellent High Temperature Stability  
Lead Free Finish, RoHS Compliant (Note 2)  
•
•
Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020D  
Terminals: Finish – Tin Plated Leads. Solderable per MIL-STD-  
202, Method 208  
Marking Information: See Page 2  
Ordering Information: See Page 2  
•
•
•
Weight: 0.121 grams (approximate)  
Top View  
Maximum Ratings @T = 25°C unless otherwise specified  
A
Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.  
For capacitance load, derate current by 20%.  
Characteristic  
Symbol  
VRRM  
VRWM  
VRM  
Value  
Unit  
Peak Repetitive Reverse Voltage  
Working Peak Reverse Voltage  
DC Blocking Voltage  
45  
V
RMS Reverse Voltage  
Average Rectified Output Current  
32  
10  
V
A
VR(RMS)  
IO  
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current 8.3ms  
Single Half Sine-Wave Superimposed on Rated Load  
200  
A
IFSM  
Thermal Characteristics  
Characteristic  
Symbol  
Value  
Unit  
Maximum Thermal Resistance  
Thermal Resistance Junction to Ambient (Note 3)  
ºC/W  
54  
Rθ  
JA  
-65 to +150  
≤180  
≤200  
-65 to +175  
VR ≤ 80% VRRM  
VR ≤ 50% VRRM  
DC Forward Mode  
Operating Temperature Range  
ºC  
ºC  
TJ  
TSTG  
Storage Temperature Range  
Electrical Characteristics @T = 25°C unless otherwise specified  
A
Characteristic  
Reverse Breakdown Voltage (Note 1)  
Symbol  
Min  
45  
Typ  
-
Max  
-
Unit  
V
Test Condition  
V(BR)R  
IR = 0.5mA  
IF = 8A, TJ = 25ºC  
IF = 10A, TJ = 25ºC  
IF = 10A, TJ = 125ºC  
VR = 45V, TJ = 25ºC  
VR = 45V, TJ = 100ºC  
VR = 45V, TJ = 150ºC  
-
-
-
-
0.42  
0.47  
0.41  
Forward Voltage Drop  
0.42  
0.37  
V
VF  
-
-
-
0.051  
-
27  
0.3  
15  
75  
Leakage Current (Note 1)  
mA  
IR  
Notes:  
1. Short duration pulse test used to minimize self-heating effect.  
2. RoHS revision 13.2.2003. High temperature solder exemption applied, see EU Directive Annex Note 7.  
3. FR-4 PCB, 2oz. Copper, minimum recommended pad layout per http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf.  
SBR is a registered trademark of Diodes Incorporated  
SBR10U45SD1  
1 of 3  
www.diodes.com  
September 2008  
© Diodes Incorporated  
Document number: DS31350 Rev. 5 - 2  
123

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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