是否无铅: | 不含铅 | 生命周期: | Active |
包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6 | 针数: | 6 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
Factory Lead Time: | 1 week | 风险等级: | 5.67 |
最大集电极电流 (IC): | 0.1 A | 集电极-发射极最大电压: | 45 V |
配置: | SEPARATE, 2 ELEMENTS | 最小直流电流增益 (hFE): | 200 |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G6 | JESD-609代码: | e3 |
湿度敏感等级: | 1 | 元件数量: | 2 |
端子数量: | 6 | 最高工作温度: | 150 °C |
最低工作温度: | -55 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | NPN |
最大功率耗散 (Abs): | 0.38 W | 参考标准: | AEC-Q101 |
子类别: | Other Transistors | 表面贴装: | YES |
端子面层: | Tin (Sn) | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | AMPLIFIER | 晶体管元件材料: | SILICON |
标称过渡频率 (fT): | 100 MHz | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
SBC847BDW1T1G | ONSEMI |
功能相似 |
Dual General Purpose Transistors |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
SBC847BLT1 | ONSEMI |
获取价格 |
100mA, 45V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB, CASE 318-08, TO-236, 3 PIN | |
SBC847BLT1G | ONSEMI |
获取价格 |
General Purpose Transistors | |
SBC847BPDW1T1G | ONSEMI |
获取价格 |
Dual General Purpose Transistors | |
SBC847BPDW1T3G | ONSEMI |
获取价格 |
Dual General Purpose Transistors | |
SBC847BPDXV6T1G | ONSEMI |
获取价格 |
双 NPN PNP 双极晶体管 | |
SBC847BWT1G | ONSEMI |
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General Purpose Transistors | |
SBC847CDW1T1 | ONSEMI |
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100 mA, 45 V Dual NPN Bipolar Junction Transistors | |
SBC847CDW1T1G | ONSEMI |
获取价格 |
Dual General Purpose Transistors | |
SBC847CDXV6T1G | ONSEMI |
获取价格 |
NPN 双极晶体管 | |
SBC847CLT1G | ONSEMI |
获取价格 |
General Purpose Transistors |