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SBC856BLT3

更新时间： 2024-02-28 15:23:50

品牌	Logo	应用领域
安森美 - ONSEMI		光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
7页	124K
描述
100mA, 65V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB, CASE 318-08, TO-236, 3 PIN

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SBC856BLT3 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	1.56	最大集电极电流 (IC)：	0.1 A
集电极-发射极最大电压：	65 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	220	JEDEC-95代码：	TO-236AB
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-55 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	0.3 W	参考标准：	AEC-Q101
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	100 MHz

SBC856BLT3 数据手册

BC856ALT1G Series,

SBC856ALT1G Series

General Purpose

Transistors

PNP Silicon

http://onsemi.com

Features

• S and NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring

Unique Site and Control Change Requirements; AEC−Q101

Qualified and PPAP Capable

COLLECTOR

• These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS

BASE

Compliant

EMITTER

MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)

Rating

Symbol

Value

Unit

Collector-Emitter Voltage

CEO

CBO

EBO

BC856, SBC856

BC857, SBC857

BC858, NSVBC858, BC859

−65

−45

−30

SOT−23 (TO−236AB)

CASE 318

STYLE 6

Collector-Base Voltage

BC856, SBC856

BC857, SBC857

BC858, NSVBC858, BC859

−80

−50

−30

MARKING DIAGRAM

Emitter−Base Voltage

−5.0

−100

−200

Collector Current − Continuous

Collector Current − Peak

mAdc

xx M G

THERMAL CHARACTERISTICS

Characteristic

Symbol

Max

Unit

xx = Device Code

xx = (Refer to page 6)

Total Device Dissipation FR−5 Board,

(Note 1) T = 25°C

225

1.8

mW/°C

= Date Code*

= Pb−Free Package

Derate above 25°C

(Note: Microdot may be in either location)

*Date Code orientation and/or overbar may

vary depending upon manufacturing location.

Thermal Resistance,

Junction−to−Ambient

556

°C/W

Total Device Dissipation Alumina

Substrate, (Note 2) T = 25°C

Derate above 25°C

300

2.4

mW/°C

ORDERING INFORMATION

See detailed ordering and shipping information in the package

dimensions section on page 6 of this data sheet.

Thermal Resistance,

Junction−to−Ambient

417

°C/W

Junction and Storage Temperature

T , T

−55 to +150

°C

stg

Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum

Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended

Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the

Recommended Operating Conditions may affect device reliability.

1. FR−5 = 1.0 x 0.75 x 0.062 in.

2. Alumina = 0.4 x 0.3 x 0.024 in 99.5% alumina.

Publication Order Number:

May, 2013 − Rev. 13

BC856ALT1/D

12 3 4 5 6 7

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