5秒后页面跳转
SBC856BLT3 PDF预览

SBC856BLT3

更新时间: 2024-11-25 21:20:55
品牌 Logo 应用领域
罗彻斯特 - ROCHESTER 光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 806K
描述
100mA, 65V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB, CASE 318-08, TO-236, 3 PIN

SBC856BLT3 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Active零件包装代码:SOT-23
包装说明:CASE 318-08, TO-236, 3 PIN针数:3
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.21
外壳连接:ISOLATED最大集电极电流 (IC):0.1 A
集电极-发射极最大电压:65 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):220JEDEC-95代码:TO-236AB
JESD-30 代码:R-PDSO-G3JESD-609代码:e0
湿度敏感等级:NOT SPECIFIED元件数量:1
端子数量:3封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):240极性/信道类型:PNP
认证状态:COMMERCIAL表面贴装:YES
端子面层:TIN LEAD端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:30
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):100 MHz
Base Number Matches:1

SBC856BLT3 数据手册

 浏览型号SBC856BLT3的Datasheet PDF文件第2页浏览型号SBC856BLT3的Datasheet PDF文件第3页浏览型号SBC856BLT3的Datasheet PDF文件第4页浏览型号SBC856BLT3的Datasheet PDF文件第5页浏览型号SBC856BLT3的Datasheet PDF文件第6页浏览型号SBC856BLT3的Datasheet PDF文件第7页 

与SBC856BLT3相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SBC856BLT3G ONSEMI

获取价格

General Purpose Transistors
SBC856BWT1G ONSEMI

获取价格

General Purpose Transistors
SBC857ALT1G ONSEMI

获取价格

General Purpose Transistors
SBC857BDW1T1G ONSEMI

获取价格

Dual General Purpose Transistors
SBC857BLT1G ONSEMI

获取价格

General Purpose Transistors
SBC857BWT1G ONSEMI

获取价格

General Purpose Transistors
SBC857CDW1T1G ONSEMI

获取价格

Dual General Purpose Transistors
SBC857CLT1G ONSEMI

获取价格

General Purpose Transistors
SBC-860 AAEON

获取价格

Intel Pentium 4 PICMG Full-size SBC
SBC-860-A12 AAEON

获取价格

Intel Pentium 4 PICMG Full-size SBC