是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | SOT-23 |
包装说明: | CASE 318-08, TO-236, 3 PIN | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | unknown | 风险等级: | 5.21 |
外壳连接: | ISOLATED | 最大集电极电流 (IC): | 0.1 A |
集电极-发射极最大电压: | 65 V | 配置: | SINGLE |
最小直流电流增益 (hFE): | 220 | JEDEC-95代码: | TO-236AB |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G3 | JESD-609代码: | e0 |
湿度敏感等级: | NOT SPECIFIED | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | 240 | 极性/信道类型: | PNP |
认证状态: | COMMERCIAL | 表面贴装: | YES |
端子面层: | TIN LEAD | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 |
晶体管元件材料: | SILICON | 标称过渡频率 (fT): | 100 MHz |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
SBC856BLT3G | ONSEMI |
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General Purpose Transistors | |
SBC856BWT1G | ONSEMI |
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General Purpose Transistors | |
SBC857ALT1G | ONSEMI |
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General Purpose Transistors | |
SBC857BDW1T1G | ONSEMI |
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Dual General Purpose Transistors | |
SBC857BLT1G | ONSEMI |
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General Purpose Transistors | |
SBC857BWT1G | ONSEMI |
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General Purpose Transistors | |
SBC857CDW1T1G | ONSEMI |
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Dual General Purpose Transistors | |
SBC857CLT1G | ONSEMI |
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General Purpose Transistors | |
SBC-860 | AAEON |
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Intel Pentium 4 PICMG Full-size SBC | |
SBC-860-A12 | AAEON |
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Intel Pentium 4 PICMG Full-size SBC |