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SBC847BLT1 PDF预览

SBC847BLT1

更新时间： 2024-09-17 21:20:03
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
13页 163K
描述
100mA, 45V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB, CASE 318-08, TO-236, 3 PIN

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SBC847BLT1 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOT-23包装说明：CASE 318-08, TO-236, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.95
风险等级：5最大集电极电流 (IC)：0.1 A
集电极-发射极最大电压：45 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：200JEDEC-95代码：TO-236AB
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e0
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：240极性/信道类型：NPN
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：100 MHzBase Number Matches：1

SBC847BLT1 数据手册

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BC846ALT1G Series,  
SBC846ALT1G Series  
General Purpose  
Transistors  
NPN Silicon  
Features  
http://onsemi.com  
• Moisture Sensitivity Level: 1  
• ESD Rating − Human Body Model: >4000 V  
COLLECTOR  
3
ESD Rating − Machine Model: >400 V  
• AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable  
1
• S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique  
BASE  
Site and Control Change Requirements  
2
• These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS  
Compliant  
EMITTER  
MAXIMUM RATINGS  
3
Rating  
Symbol  
Value  
Unit  
Collector-Emitter Voltage  
V
CEO  
Vdc  
1
BC846, SBC846  
BC847, BC850, SBC847  
BC848, BC849, SBC848  
65  
45  
30  
2
SOT−23  
CASE 318  
STYLE 6  
Collector−Base Voltage  
V
V
Vdc  
Vdc  
CBO  
BC846, SBC846  
BC847, BC850, SBC847  
BC848, BC849, SBC848  
80  
50  
30  
MARKING DIAGRAM  
Emitter−Base Voltage  
EBO  
BC846, SBC846  
BC847, BC850, SBC847  
BC848, BC849, SBC848  
6.0  
6.0  
5.0  
XX M G  
G
Collector Current − Continuous  
I
C
100  
mAdc  
1
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum  
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended  
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the  
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.  
XX = Device Code  
M
= Date Code*  
G
= Pb−Free Package  
(Note: Microdot may be in either location)  
THERMAL CHARACTERISTICS  
*Date Code orientation and/or overbar may  
vary depending upon manufacturing location.  
Characteristic  
Symbol  
Max  
Unit  
Total Device Dissipation FR−5 Board,  
P
D
225  
mW  
(Note 1)  
T = 25°C  
Derate above 25°C  
A
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information in the package  
dimensions section on page 12 of this data sheet.  
1.8  
mW/°C  
°C/W  
Thermal Resistance,  
R
556  
q
JA  
Junction−to−Ambient (Note 1)  
Total Device Dissipation  
P
D
300  
mW  
Alumina Substrate (Note 2)  
T = 25°C  
Derate above 25°C  
A
2.4  
mW/°C  
°C/W  
Thermal Resistance,  
R
417  
q
JA  
Junction−to−Ambient (Note 2)  
Junction and Storage  
Temperature Range  
T , T  
−55 to  
+150  
°C  
J
stg  
1. FR−5 = 1.0 ꢀ 0.75 ꢀ 0.062 in.  
2. Alumina = 0.4 ꢀ 0.3 ꢀ 0.024 in 99.5% alumina.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2011  
1
Publication Order Number:  
November, 2011 − Rev. 11  
BC846ALT1/D  
 
1234567...13

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SBC847BLT1G ONSEMI

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