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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | SOT-23 | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.21.00.95 |
| 风险等级： | 5.59 | 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 65 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 220 | JEDEC-95代码： | TO-236AB |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | JESD-609代码： | e0 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 240 | 极性/信道类型： | PNP |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 100 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SBC856BLT1G | ONSEMI |
获取价格 |
General Purpose Transistors |
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| SBC856BLT3 | ROCHESTER |
获取价格 |
100mA, 65V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB, CASE 318-08, TO-236, 3 PIN |
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| SBC856BLT3 | ONSEMI |
获取价格 |
100mA, 65V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB, CASE 318-08, TO-236, 3 PIN |
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| SBC856BLT3G | ONSEMI |
获取价格 |
General Purpose Transistors |
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| SBC856BWT1G | ONSEMI |
获取价格 |
General Purpose Transistors |
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| SBC857ALT1G | ONSEMI |
获取价格 |
General Purpose Transistors |
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| SBC857BDW1T1G | ONSEMI |
获取价格 |
Dual General Purpose Transistors |
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| SBC857BLT1G | ONSEMI |
获取价格 |
General Purpose Transistors |
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| SBC857BWT1G | ONSEMI |
获取价格 |
General Purpose Transistors |
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| SBC857CDW1T1G | ONSEMI |
获取价格 |
Dual General Purpose Transistors |
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