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S73WS256NDEBFWTB3

更新时间： 2024-11-18 03:15:59

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飞索 - SPANSION		/
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251页	5244K
描述
Stacked Multi-Chip Product (MCP)

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S73WS256NDEBFWTB3 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	BGA	包装说明：	9 X 12 MM, 1.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, FBGA-137
针数：	137	Reach Compliance Code：	unknown
HTS代码：	8542.32.00.71	风险等级：	5.69
其他特性：	MOBILE SDRAM IS ORGANIZED AS 2M X 16 X 4BANKS; SYNCHRONOUS BURST MODE OPERATION ALSO POSSIBLE	JESD-30 代码：	R-PBGA-B137
JESD-609代码：	e1	长度：	12 mm
内存密度：	536870912 bit	内存集成电路类型：	MEMORY CIRCUIT
内存宽度：	16	湿度敏感等级：	3
功能数量：	1	端子数量：	137
字数：	33554432 words	字数代码：	32000000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-25 °C	组织：	32MX16
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	LFBGA
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度（摄氏度）：	260	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.4 mm	最大供电电压 (Vsup)：	1.95 V
最小供电电压 (Vsup)：	1.7 V	标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	OTHER	端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn96.5Ag3.0Cu0.5)
端子形式：	BALL	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
宽度：	9 mm	Base Number Matches：	1

S73WS256N Based MCPs

Stacked Multi-Chip Product (MCP)

512/256 Megabit (32M/16M x 16-bit) CMOS 1.8 Volt-only,

Simultaneous Read/Write, Burst Mode Flash Memory with

256/128 Megabit (4M/2M x 16-bit x 4 Banks) Mobile SDRAM

on Shared Data Bus

ADVANCE

INFORMATION

Data Sheet

1RWLFHꢀWRꢀ5HDGHUVꢁꢀ7KLVꢀGRFXPHQWꢀVWDWHVꢀWKHꢀFXUUHQWꢀWHFKQLFDOꢀVSHFLILFDWLRQV

UHJDUGLQJꢀWKHꢀ6SDQVLRQꢀSURGXFWꢁVꢂꢀGHVFULEHGꢀKHUHLQꢃꢀ(DFKꢀSURGXFWꢀGHVFULEHG

KHUHLQꢀPD\ꢀEHꢀGHVLJQDWHGꢀDVꢀ$GYDQFHꢀ,QIRUPDWLRQꢄꢀ3UHOLPLQDU\ꢄꢀRUꢀ)XOO

3URGXFWLRQꢃꢀ6HHꢀ³1RWLFHꢀ2Qꢀ'DWDꢀ6KHHWꢀ'HVLJQDWLRQV´ꢀꢀIRUꢀGHILQLWLRQVꢃ

Publication Number S73WS256N_00 Revision A Amendment 3 Issue Date December 16, 2005

12 3 4 5 6 7...251

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