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S73WS256NEEBAWTB2

更新时间： 2024-11-18 03:15:59

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飞索 - SPANSION		/
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251页	5244K
描述
Stacked Multi-Chip Product (MCP)

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S73WS256NEEBAWTB2 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	BGA	包装说明：	LFBGA,
针数：	137	Reach Compliance Code：	compliant
HTS代码：	8542.32.00.71	风险等级：	5.77
其他特性：	MOBILE SDRAM IS ORGANIZED AS 4M X 16 X 4BANKS; SYNCHRONOUS BURST MODE OPERATION ALSO POSSIBLE	JESD-30 代码：	R-PBGA-B137
JESD-609代码：	e0	长度：	12 mm
内存密度：	536870912 bit	内存集成电路类型：	MEMORY CIRCUIT
内存宽度：	16	功能数量：	1
端子数量：	137	字数：	33554432 words
字数代码：	32000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-25 °C
组织：	32MX16	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	LFBGA	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.4 mm
最大供电电压 (Vsup)：	1.95 V	最小供电电压 (Vsup)：	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	OTHER
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	BALL
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	9 mm
Base Number Matches：	1

S73WS256N Based MCPs

Stacked Multi-Chip Product (MCP)

512/256 Megabit (32M/16M x 16-bit) CMOS 1.8 Volt-only,

Simultaneous Read/Write, Burst Mode Flash Memory with

256/128 Megabit (4M/2M x 16-bit x 4 Banks) Mobile SDRAM

on Shared Data Bus

ADVANCE

INFORMATION

Data Sheet

1RWLFHꢀWRꢀ5HDGHUVꢁꢀ7KLVꢀGRFXPHQWꢀVWDWHVꢀWKHꢀFXUUHQWꢀWHFKQLFDOꢀVSHFLILFDWLRQV

UHJDUGLQJꢀWKHꢀ6SDQVLRQꢀSURGXFWꢁVꢂꢀGHVFULEHGꢀKHUHLQꢃꢀ(DFKꢀSURGXFWꢀGHVFULEHG

KHUHLQꢀPD\ꢀEHꢀGHVLJQDWHGꢀDVꢀ$GYDQFHꢀ,QIRUPDWLRQꢄꢀ3UHOLPLQDU\ꢄꢀRUꢀ)XOO

3URGXFWLRQꢃꢀ6HHꢀ³1RWLFHꢀ2Qꢀ'DWDꢀ6KHHWꢀ'HVLJQDWLRQV´ꢀꢀIRUꢀGHILQLWLRQVꢃ

Publication Number S73WS256N_00 Revision A Amendment 3 Issue Date December 16, 2005

12 3 4 5 6 7...251

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