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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | BGA | 包装说明： | 9 X 12 MM, 1.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, FBGA-137 |
| 针数： | 137 | Reach Compliance Code： | unknown |
| HTS代码： | 8542.32.00.71 | 风险等级： | 5.69 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | MOBILE SDRAM IS ORGANIZED AS 4M X 16 X 4BANKS; SYNCHRONOUS BURST MODE OPERATION ALSO POSSIBLE |
| JESD-30 代码： | R-PBGA-B137 | JESD-609代码： | e1 |
| 长度： | 12 mm | 内存密度： | 536870912 bit |
| 内存集成电路类型： | MEMORY CIRCUIT | 内存宽度： | 16 |
| 湿度敏感等级： | 3 | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 137 | 字数： | 33554432 words |
| 字数代码： | 32000000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 85 °C | 最低工作温度： | -25 °C |
| 组织： | 32MX16 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | LFBGA | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 1.4 mm |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 1.95 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 1.7 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 1.8 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | OTHER |
| 端子面层： | Tin/Silver/Copper (Sn96.5Ag3.0Cu0.5) | 端子形式： | BALL |
| 端子节距： | 0.8 mm | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 | 宽度： | 9 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| S73WS256NEEBFWT73 | SPANSION |
获取价格 |
Stacked Multi-Chip Product (MCP) |
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| S73WS256NEEBFWTB0 | SPANSION |
获取价格 |
Stacked Multi-Chip Product (MCP) |
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| S73WS256NEEBFWTB2 | SPANSION |
获取价格 |
Stacked Multi-Chip Product (MCP) |
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| S73WS256NEEBFWTB3 | SPANSION |
获取价格 |
Stacked Multi-Chip Product (MCP) |
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| S73WS512PD0HF64V0 | SPANSION |
获取价格 |
Memory Circuit, 32MX16, CMOS, PBGA137, 9 X 12 MM, 1.20 MM HEIGHT, LEAD FREE, FBGA-137 |
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| S73WS512PD0HF64V2 | SPANSION |
获取价格 |
Memory Circuit, 32MX16, CMOS, PBGA137, 9 X 12 MM, 1.20 MM HEIGHT, LEAD FREE, FBGA-137 |
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| S73WS512PD0HF64V3 | SPANSION |
获取价格 |
Memory Circuit, 32MX16, CMOS, PBGA137, 9 X 12 MM, 1.20 MM HEIGHT, LEAD FREE, FBGA-137 |
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| S73WS-P | SPANSION |
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Stacked Multi-Chip Product (MCP) |
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| S7412M | ETC |
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35-A SILICON CONTROLLED RECTIFIERS |
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| S742 | SSDI |
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1 Form A Solid State Relay |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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