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S4101

更新时间: 2024-11-03 11:12:51
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
12页 731K
描述
S4101是基于SiC的Trench MOSFET。其特征是高耐压、低导通电阻、高速开关。关于Bare Die的销售请向本公司销售部门咨询规格。现在尚未进行网络销售及经由网络公司进行销售。

S4101 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
包装说明:UNCASED CHIP, X-XXUC-NReach Compliance Code:compliant
风险等级:5.76配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:1200 V最大漏极电流 (ID):55 A
最大漏源导通电阻:0.05 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码:X-XXUC-N元件数量:1
工作模式:ENHANCEMENT MODE封装主体材料:UNSPECIFIED
封装形状:UNSPECIFIED封装形式:UNCASED CHIP
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM):137 A表面贴装:YES
端子形式:NO LEAD端子位置:UNSPECIFIED
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON CARBIDEBase Number Matches:1

S4101 数据手册

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S4101  
Datasheet  
N-channel SiC power MOSFET bare die  
VDSS  
RDS(on) (Typ.)  
ID  
1200V  
40mW  
55A*1  
lFeatures  
lInner circuit  
1) Low on-resistance  
2) Fast switching speed  
3) Fast reverse recovery  
4) Easy to parallel  
(1) Gate  
(2) Drain  
(3) Source  
*1 Body Diode  
5) Simple to drive  
lApplication  
Solar inverters  
DC/DC converters  
Switch mode power supplies  
Induction heating  
Motor drives  
lAbsolute maximum ratings (Ta = 25°C)  
Parameter  
Symbol  
VDSS  
Value  
1200  
Unit  
Drain - Source voltage  
V
A
*1  
Tc = 25°C  
Continuous drain current  
55  
ID  
*2  
Pulsed drain current  
137  
A
ID,pulse  
VGSS  
Gate - Source voltage (DC)  
Gate-Source Surge Voltage (tsurge < 300nsec)  
Recommended Drive Voltage  
Junction temperature  
V
-4 to +22  
-4 to +26  
0 / +18  
175  
*3  
V
VGSS_surge  
*4  
V
VGS_op  
Tj  
°C  
°C  
Tstg  
Range of storage temperature  
-55 to +175  
www.rohm.com  
© 2018 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.  
TSZ2211114001  
TSQ50152-S4101  
14.Jun.2018 - Rev.001  
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