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S4108

更新时间： 2024-11-03 11:13:31

品牌	Logo	应用领域
罗姆 - ROHM		开关
页数	文件大小	规格书
12页	729K
描述
S4108是SiC（碳化硅）功率MOSFET。其特征是高耐压、低导通电阻、高速开关。关于Bare Die的销售请向本公司销售部门咨询规格。现在尚未进行网络销售及经由网络公司进行销售。

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S4108 数据手册

S4108

Datasheet

N-channel SiC power MOSFET bare die

V_DSS

R_DS(on)(Typ.)

I_D

1200V

80mW

31A^*1

lFeatures

lInner circuit

1) Low on-resistance

2) Fast switching speed

3) Fast reverse recovery

4) Easy to parallel

(1) Gate

(2) Drain

(3) Source

*1 Body Diode

5) Simple to drive

lApplication

・Solar inverters

・DC/DC converters

・Switch mode power supplies

・Induction heating

・Motor drives

lAbsolute maximum ratings (T_a= 25°C)

Parameter

Symbol

V_DSS

Value

1200

Unit

Drain - Source voltage

T_c= 25°C

Continuous drain current

I_D

Pulsed drain current

I_D,pulse

V_GSS

Gate - Source voltage (DC)

Gate-Source Surge Voltage (t_surge< 300nsec)

Recommended Drive Voltage

Junction temperature

-4 to +22

-4 to +26

0 / +18

175

V_{GSS_surge}

V_{GS_op}

T_j

°C

T_stg

Range of storage temperature

-55 to +175

www.rohm.com

TSZ22111・14・001

TSQ50152-S4108

14.Jun.2018 - Rev.001

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与S4108相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
S-410OHM5%	VISHAY	获取价格	Fixed Resistor, Wire Wound, 2W, 10ohm, 173V, 5% +/-Tol, 50ppm/Cel, Surface Mount, 4525, CH
S4-10RF1	RIEDON	获取价格	RES SMD 10 OHM 1% 2W 4525
S4111	HAMAMATSU	获取价格	Si photodiode array 16, 35, 46 element Si photodiode array for UV to NIR
S4111_15	HAMAMATSU	获取价格	Si photodiode arrays
S4111-14R	HAMAMATSU	获取价格	Photo Diode, CERAMIC, DIP
S4111-16Q	HAMAMATSU	获取价格	Si photodiode array 16, 35, 46 element Si photodiode array for UV to NIR
S4111-16R	HAMAMATSU	获取价格	Si photodiode array 16, 35, 46 element Si photodiode array for UV to NIR
S41111PINBASE	ETC	获取价格	RELAIS SOCKEL 170 290 11POL
S4111-35Q	HAMAMATSU	获取价格	Si photodiode array 16, 35, 46 element Si photodiode array for UV to NIR
S4111-46Q	HAMAMATSU	获取价格	Si photodiode array 16, 35, 46 element Si photodiode array for UV to NIR