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S4102

更新时间： 2024-11-02 19:57:43

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罗姆 - ROHM		开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
12页	728K
描述
Power Field-Effect Transistor,

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S4102 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	UNCASED CHIP, X-XXUC-N	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.75
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	1200 V
最大漏极电流 (ID)：	72 A	最大漏源导通电阻：	0.0375 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	X-XXUC-N
元件数量：	1	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	UNSPECIFIED
封装形式：	UNCASED CHIP	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	180 A
表面贴装：	YES	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	UNSPECIFIED	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON CARBIDE
Base Number Matches：	1

S4102 数据手册

S4102

N-channel SiC power MOSFET bare die

Data Sheet

V_DSS

R_DS(on)(Typ.)

I_D

1200V

30mW

72A^*1

lFeatures

lInner circuit

1) Low on-resistance

2) Fast switching speed

3) Fast reverse recovery

4) Easy to parallel

(1) Gate

(2) Drain

(3) Source

*1 Body Diode

5) Simple to drive

lApplication

・Solar inverters

・DC/DC converters

・Switch mode power supplies

・Induction heating

・Motor drives

lAbsolute maximum ratings (T_a= 25°C)

Parameter

Symbol

V_DSS

Value

Unit

Drain - Source voltage

1200

T_c= 25°C

Continuous drain current

Pulsed drain current

I_D

180

I_D,pulse

V_GSS

T_j

Gate - Source voltage

Junction temperature

-4 to 22

175

°C

T_stg

Range of storage temperature

-55 to +175

www.rohm.com

2016.07 - Rev.A

1/11

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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S4104D0104JGA	KYOCERA AVX	获取价格	CAPACITOR, METALLIZED FILM, POLYESTER, 63V, 0.1uF, THROUGH HOLE MOUNT, RADIAL LEADED
S4104I0103KGA	KYOCERA AVX	获取价格	CAPACITOR, METALLIZED FILM, POLYESTER, 400V, 0.01uF, THROUGH HOLE MOUNT, RADIAL LEADED
S4104I0103MGA	KYOCERA AVX	获取价格	CAPACITOR, METALLIZED FILM, POLYESTER, 400V, 0.01uF, THROUGH HOLE MOUNT, RADIAL LEADED
S4104I0103MGB	KYOCERA AVX	获取价格	CAPACITOR, METALLIZED FILM, POLYESTER, 400V, 0.01uF, THROUGH HOLE MOUNT, RADIAL LEADED
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