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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | BGA | 包装说明： | 11.60 X 8 MM, LEAD FREE, PLASTIC, FBGA-84 |
| 针数： | 84 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | 3A991.B.1.A | HTS代码： | 8542.32.00.51 |
| 风险等级： | 5.73 | 最长访问时间： | 70 ns |
| 其他特性： | SYNCHRONOUS BURST MODE OPERATION POSSIBLE | 启动块： | BOTTOM/TOP |
| 命令用户界面： | YES | 通用闪存接口： | YES |
| 数据轮询： | YES | JESD-30 代码： | R-PBGA-B84 |
| 长度： | 11.6 mm | 内存密度： | 134217728 bit |
| 内存集成电路类型： | FLASH | 内存宽度： | 16 |
| 功能数量： | 1 | 部门数/规模： | 8,126 |
| 端子数量： | 84 | 字数： | 8388608 words |
| 字数代码： | 8000000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 85 °C | 最低工作温度： | -25 °C |
| 组织： | 8MX16 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | VFBGA | 封装等效代码： | BGA84,10X12,32 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 电源： | 1.8 V | 编程电压： | 1.8 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 1 mm |
| 部门规模： | 16K,64K | 最大待机电流： | 0.000005 A |
| 子类别： | Flash Memories | 最大压摆率： | 0.066 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 1.95 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 1.7 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 1.8 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | OTHER |
| 端子形式： | BALL | 端子节距： | 0.8 mm |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 切换位： | YES | 类型： | NOR TYPE |
| 宽度： | 8 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| S29WS128N0SBAW111 | SPANSION |
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256/128/64 MEGABIT CMOS 1.8 VOLT ONLY SIMULTANEOUS READ/WRITE BURST MODE FLASH MEMORY |
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| S29WS128N0SBAW112 | SPANSION |
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