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RZM002P02

更新时间： 2024-10-16 09:50:31
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罗姆 - ROHM 驱动
页数 文件大小 规格书
5页 219K
描述
1.2V Drive Pch MOSFET

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RZM002P02 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.68
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：20 V
最大漏极电流 (ID)：0.2 A最大漏源导通电阻：1.2 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-F3
JESD-609代码：e2元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：P-CHANNEL认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：Tin/Copper (Sn/Cu)
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：10晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

RZM002P02 数据手册

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1.2V Drive Pch MOSFET  
RZM002P02  
zStructure  
zDimensions (Unit : mm)  
Silicon P-channel MOSFET  
VMT3  
1.2  
0.32  
zFeatures  
(3)  
1) High Speed Switching.  
2) Small package (VMT3).  
3) Ultra Low Voltage drive. (1.2V drive)  
(
)( )  
2
1
0.22  
0.13  
0.4 0.4  
0.5  
0.8  
(1)Gate  
(2)Source  
(3)Drain  
Abbreviated symbol : YK  
zApplications  
zInner circuit  
Switching  
(3)  
zPackaging specifications  
Package  
Taping  
T2L  
∗2  
(1)  
Type  
Code  
Basic ordering unit (pieces)  
8000  
∗1  
RZM002P02  
(1) Gate  
(2)  
(2) Source  
(3) Drain  
∗1 ESD PROTECTION DIODE  
∗2 BODY DIODE  
zAbsolute maximum ratings (Ta=25°C)  
Parameter  
Drain-source voltage  
Symbol  
Limits  
−20  
10  
Unit  
V
VDSS  
VGSS  
ID  
Gate-source voltage  
V
Continuous  
Pulsed  
200  
mA  
mA  
mA  
mA  
mW  
°C  
Drain current  
∗1  
IDP  
800  
Continuous  
Pulsed  
IS  
−100  
−800  
150  
Source current (Body diode)  
∗1  
∗2  
ISP  
Total power dissipation  
Channel temperature  
PD  
Tch  
Tstg  
150  
Range of storage temperature  
−55 to +150  
°C  
∗1 Pw≤10µs, Duty cycle≤1%  
∗2 Each terminal mounted on a recommended land  
zThermal resistance  
Parameter  
Symbol  
Limits  
833  
Unit  
∗
Channel to ambient  
Rth(ch-a)  
°C/W  
∗ Each terminal mounted on a recommended land  
www.rohm.com  
c
2009.06 - Rev.B  
○ 2009 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.  
1/4  
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