5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Not Recommended | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6 |
| 针数： | 6 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 7.87 |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 12 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 5 A | 最大漏极电流 (ID)： | 5 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.026 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G6 | JESD-609代码： | e1 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 6 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | P-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 1.25 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 20 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Tin/Silver/Copper (Sn96.5Ag3.0Cu0.5) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 10 | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| RT1A050ZPTR | ROHM |
功能相似  |
Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 12V, 0.026ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| RZR020P01 | ROHM |
获取价格 |
1.5V Drive Pch MOSFET |
|
| RZR020P01TL | ROHM |
获取价格 |
1.5V Drive Pch MOSFET |
|
| RZR025P01 | ROHM |
获取价格 |
1.5V Drive Pch MOSFET |
|
| RZR025P01TL | ROHM |
获取价格 |
1.5V Drive Pch MOSFET |
|
| RZR040P01 | ROHM |
获取价格 |
1.5V Drive Pch MOSFET |
|
| RZR040P01TL | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 4A I(D), 12V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-o |
|
| RZR-12834 | OKAYA |
获取价格 |
NOISE FILTER |
|
| RZR47-5500 | OKAYA |
获取价格 |
Mains Filter, |
|
| RZR-6020N | OKAYA |
获取价格 |
NOISE FILTER |
|
| RZR-6815 | OKAYA |
获取价格 |
NOISE FILTER |
|
纳微科技震撼发布GaNSlim革新氮化镓功率芯片
意法半导体发布第四代SiC技术，助力电动汽车电驱
联发科推出全球首款3纳米汽车芯片CT-X1，挑战高通SA8295
国家大基金减持三家半导体企业，市场反应各异
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
替代型号
如果您发现信息不准确，
