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RTM002P02T2L

更新时间： 2024-01-27 19:00:04

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罗姆 - ROHM		晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管驱动
页数	文件大小	规格书
3页	82K
描述
2.5V Drive Pch MOS FET

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RTM002P02T2L 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	Factory Lead Time：	16 weeks
风险等级：	7.99	Is Samacsys：	N
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	0.2 A	最大漏极电流 (ID)：	0.2 A
最大漏源导通电阻：	1.6 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-F3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	0.15 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	10
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

RTM002P02T2L 数据手册

RTM002P02

Transistors

2.5V Drive Pch MOS FET

RTM002P02

zStructure

zExternal dimensions (Unit : mm)

Silicon P-channel MOS FET

VMT3

1.2

0.32

zFeatures

(3)

1) Low On-resistance.

2) Small package (VMT3).

3) 2.5V drive.

(

)( )

0.22

0.13

0.5

0.4 0.4

0.8

(1)Gate

(2)Source

(3)Drain

Abbreviated symbol : TW

zApplications

Switching

zPackaging specifications

zInner circuit

Package

Taping

T2L

(3)

Type

Code

Basic ordering unit (pieces)

8000

RTM002P02

(1)

∗2

∗1

(1) Gate

(2)

(2) Source

(3) Drain

∗1 ESD PROTECTION DIODE

∗2 BODY DIODE

zAbsolute maximum ratings (Ta=25°C)

Parameter

Drain-source voltage

Gate-source voltage

Symbol

V_DSS

V_GSS

I_D

Limits

−20

Unit

Continuous

0.2

Drain current

Pulsed

∗1

I_DP

P_D

0.4

∗2

Total power dissipation

Channel temperature

0.15

°C

Tch

Tstg

150

Range of storage temperature

−55 to +150

∗1 Pw≤10µs, Duty cycle≤1%

∗2 Each terminal mounted on a recommended land

zThermal resistance

Parameter

Symbol

Limits

833

Unit

∗

Channel to ambient

Rth(ch-a)

°C/W

∗ Each terminal mounted on a recommended land

1/2

12 3

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