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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6 |
| 针数： | 6 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 8 |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 12 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 3.5 A | 最大漏极电流 (ID)： | 3.5 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.036 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-F6 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 6 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | P-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 1 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | FLAT |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 10 |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| RZM001P02 | ROHM |
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电界効果晶体管的MOSFET。提供通过采用细微流程的「针对通信产品的超低阻值的设备」而产生 |
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| RZM002P02 | ROHM |
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1.2V Drive Pch MOSFET |
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| RZM002P02T2L | ROHM |
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1.2V Drive Pch MOSFET |
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| RZQ045P01 | ROHM |
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1.5V Drive Pch MOSFET |
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| RZQ050P01 | ROHM |
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1.5V Drive Pch MOSFET |
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| RZQ050P01TR | ROHM |
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Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 12V, 0.026ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta |
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| RZR020P01 | ROHM |
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1.5V Drive Pch MOSFET |
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| RZR020P01TL | ROHM |
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1.5V Drive Pch MOSFET |
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| RZR025P01 | ROHM |
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1.5V Drive Pch MOSFET |
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| RZR025P01TL | ROHM |
获取价格 |
1.5V Drive Pch MOSFET |
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