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RSX201VA-30

更新时间： 2024-09-17 09:43:39

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罗姆 - ROHM		肖特基二极管
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Schottky Barrier Diode

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RSX201VA-30 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Not Recommended	包装说明：	R-PDSO-F2
针数：	2	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.72	其他特性：	HIGH RELIABILITY
外壳连接：	CATHODE	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：	R-PDSO-F2	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	125 °C
最大输出电流：	1 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	最大重复峰值反向电压：	30 V
表面贴装：	YES	技术：	SCHOTTKY
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	Base Number Matches：	1

RSX201VA-30 数据手册

Data Sheet

Schottky Barrier Diode

RSX201VA-30

Applications

Dimensions (Unit : mm)

Land size figure (Unit : mm)

General rectification

1.1

0.17±0.1

ꢀꢀ 0.05

1.3±0.05

Features

1)Small mold type (TUMD2)

2)Low V_F& Low I_R

3)High reliability

TUMD2

Construction

Structure

Silicon epitaxial planer

0.8±0.05

0.6±0.2

ꢀꢀꢀ 0.1

ROHM : TUMD2

dot (year week factory)

Taping dimensions (Unit : mm)

φ1.5±0.1

0.25±0.05

2.0±0.05

4.0±0.1

φ1.0±0.2

4.0±0.1

1.43±0.05

0.9±0.08

Absolute maximum ratings (Ta=25°C)

Parameter

Limits

Symbol

V_RM

Unit

Reverse voltage (repetitive)

Reverse voltage (DC)

V_R

Average rectified forward current

(On the Almina substrate)

Average rectified forward current

(On the Glass epoxy substrate)

Forward current surge peak （60Hz・1cyc）

1.5

1.0

I_FSM

Junction temperature

Storage temperature

125

°C

Tstg

40 to 125

Electrical characteristics (Ta=25°C)

Parameter

Symbol

V_F1

Min.

Typ.

0.36

0.40

Max.

Unit

Conditions

I_F=1A

0.42

0.46

Forward voltage

V_F2

I_F=1.5A

V_R=5V

V_R=30V

I_R1

μA

Reverse current

300

I_R2

www.rohm.com

2011.11 - Rev.A

1/4

12 3 4 5

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