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RSX301LA-30

更新时间: 2024-11-06 22:10:03
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罗姆 - ROHM 二极管
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3页 34K
描述
Shottky barrier diode

RSX301LA-30 数据手册

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RSX301LA-30  
Diodes  
Shottky barrier diode  
RSX301LA-30  
!External dimensions (Unit : mm)  
!Application  
General rectification.  
CATHODE MARK  
0.15  
1.5±0.2  
0.2±  
0.1  
!Features  
1) Small and Thin power mold type (PMDT).  
2) High reliability.  
3) Low VF, Low IR.  
2.6±0.2  
0.95±0.1  
ROHM :  
EIAJ : −  
JEDEC :  
!Structure  
Silicon Epitaxial Planer  
!Absolute maximum ratings (Ta=25°C)  
Parameter  
Symbol  
Limits  
Unit  
Reverse voltage (repetitive peak)  
Reverse voltage (DC)  
V
RM  
30  
30  
V
V
V
R
Average rectified forward current  
Forward current surge peak (60Hz / 1cyc.)  
Junction temperature  
I
O
3.0  
A
I
FSM  
70  
A
Tj  
150  
°C  
°C  
Storage temperature  
Tstg  
40 to 150  
On the Glass epoxy substrate, Tc=90°C MAX.  
!Electrical characteristics (Ta=25°C)  
Parameter  
Forward voltage  
Symbol  
Min.  
Typ.  
Max.  
Conditions  
IF=3.0A  
Unit  
V
F
0.42  
90  
V
I
I
R1  
µA  
µA  
VR=15V  
=30V  
Reverse current  
R2  
200  
VR  
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