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RSY160P05TL

更新时间： 2024-02-11 06:47:43

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罗姆 - ROHM		开关脉冲光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	166K
描述
Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 45V, 0.05ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TCPT, DPAK-3

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RSY160P05TL 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Not Recommended	零件包装代码：	TO-252
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	7.95	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	45 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	16 A	最大漏极电流 (ID)：	16 A
最大漏源导通电阻：	0.05 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-F3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	20 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	32 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

RSY160P05TL 数据手册

RSY160P05

Transistors

4V Drive Pch MOSFET

RSY160P05

zDimensions (Unit : mm)

zStructure

Silicon P-channel MOSFET

TCPT

(2)

zFeatures

1) Low On-resistance.

2) Built-in G-S Protection Diode.

3) Same land pattern as CPT3 (D-PAK).

(1)

(3)

zApplication

Switching

zPackaging specifications

zEquivalent circuit

Package

Taping

∗1

Type

Code

Basic ordering unit (pieces)

2500

RSY160P05

∗2

(1)

(2)

(3)

(1) Gate

(2) Drain

(3) Source

∗1 ESD PROTECTION DIODE

∗2 BODY DIODE

zAbsolute maximum ratings (Ta=25°C)

Parameter

Drain-source voltage

Gate-source voltage

Symbol

Limits

Unit

V_DSS

V_GSS

I_D

−45

Continuous

Pulsed

Drain current

∗1

I_DP

I_S

Continuous

Pulsed

−16

−32

Source current

(Body diode)

∗1

∗2

I_SP

P_D

°C

Total power dissipation

Channel temperature

Tch

Tstg

150

Range of Storage temperature

−55 to +150

∗1 Pw≤10µs, Duty cycle≤1%

∗2 Tc=25°C

zThermal resistance

Parameter

Symbol

Limits

6.25

Unit

∗

Channel to ambient

Rth (ch-c)

°C / W

∗

Tc=25°C

1/5

12 3 4 5 6

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