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RSX501L-20_1

更新时间： 2024-11-07 09:43:39

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罗姆 - ROHM		肖特基二极管
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4页	150K
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Schottky barrier diode

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RSX501L-20_1 数据手册

RSX501L-20

Diodes

Schottky barrier diode

RSX501L-20

zApplications

z Dimensions (Unit : mm)

z Land size figure (Unit : mm)

General rectification

㪉㪅㪇

㪉㪅㪍㫧㪇㪅㪉

zFeatures

1) Small power mold type. (PMDS)

2) Low V_F, Low I_R.

㪊

㪌

3) High reliability.

㪇㪅㪈㫧㪇㪅㪇㪉

䇭䇭䇭㩷㪇㪅㪈

㽲

㽳

㪧㪤㪛㪪

㪉㪅㪇㫧㪇㪅㪉

㪈㪅㪌㫧㪇㪅㪉

zStructure

zConstruction

Silicon epitaxial planar

㪩㪦㪟㪤㩷㪑㩷㪧㪤㪛㪪

㪡㪜㪛㪜㪚㩷㪑㩷㪪㪦㪛㪄㪈㪇㪍

㽲

㽳

㪤㪸㫅㫌㪽㪸㪺㫋㫌㫉㪼㩷㪛㪸㫋㪼

z Taping specifications (Unit : mm)

㪉㪅㪇㫧㪇㪅㪇㪌

㪋㪅㪇㫧㪇㪅㪈

㪇㪅㪊

㱢㪈㪅㪌㪌㫧㪇㪅㪇㪌

㱢㪈㪅㪌㪌

㪉㪅㪐㫧㪇㪅㪈

㪋㪅㪇㫧㪇㪅㪈

㪉㪅㪏㪤㪘㪯

zAbsolute maximum ratings (Ta=25qC)

Parameter

Limits

Symbol

V_RM

V_R

Unit

Reverse voltage (repetitive peak)

Reverse voltage (DC)

Average rectified forward current

Forward current surge peak 60Hz 1cyc

䋩

I_FSM

䋨

䊶

Junction temperature

Storage temperature

125

㷄

-40 to +125

Tstg

(*1)Tc=90 max Mouinted on epoxy board. 180° Half sine wave

zElectrical characteristics (Ta=25qC)

Parameter

Forward voltage

Reverse current

Symbol

Min.

Typ.

Max.

0.39

500

Unit

Conditions

V_F

I_R

I_F=3.0A

V_R=20V

μA

Rev.D

1/3

12 3 4

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