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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6 |
| 针数： | 6 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.79 |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 30 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 5 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 5 A | 最大漏源导通电阻： | 0.05 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PDSO-F6 |
| JESD-609代码： | e2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 6 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | P-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 2 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 20 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | TIN COPPER |
| 端子形式： | FLAT | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 10 | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| RP1E070XN | ROHM |
获取价格 |
4V Drive Nch MOSFET |
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| RP1E075RP | ROHM |
获取价格 |
4V Drive Pch MOSFET |
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| RP1E075RPTR | ROHM |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 7.5A I(D), 30V, 0.021ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me |
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| RP1E090RP | ROHM |
获取价格 |
4V Drive Pch MOSFET |
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| RP1E090RPTR | ROHM |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 30V, 0.0294ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| RP1E090XN | ROHM |
获取价格 |
4V Drive Nch MOSFET |
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| RP1E090XNTR | ROHM |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 30V, 0.027ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| RP1E100RP | ROHM |
获取价格 |
4V Drive Pch MOSFET |
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| RP1E100RPTR | ROHM |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 30V, 0.0126ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me |
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| RP1E100XN | ROHM |
获取价格 |
4V Drive Nch MOSFET |
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