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RP1E090RPTR

更新时间： 2024-11-20 18:58:27

品牌	Logo	应用领域
罗姆 - ROHM		开关脉冲光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	142K
描述
Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 30V, 0.0294ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MPT6, 6 PIN

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RP1E090RPTR 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6
针数：	6	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	7.99
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	9 A	最大漏极电流 (ID)：	9 A
最大漏源导通电阻：	0.0294 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-F6	JESD-609代码：	e2
元件数量：	1	端子数量：	6
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	2 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	36 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	TIN COPPER	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	10
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

RP1E090RPTR 数据手册

4V Drive Pch MOSFET

RP1E090RP

 Structure

 Dimensions (Unit : mm)

Silicon P-channel MOSFET

MPT6

(6)

(1)

(5)

(4)

Features

1) Low on-resistance.

2) Built-in G-S Protection Diode.

3) Small Surface Mount Package (MPT6).

(2)

(3)

 Application

Switching

 Packaging specifications

 Inner circuit

Package

Taping

(6)

(5)

(4)

Type

Code

Basic ordering unit (pieces)

1000



RP1E090RP

∗2

(1) Source

(2) Source

(3) Gate

(4) Drain

(5) Drain

(6) Drain

∗1

 Absolute maximum ratings (Ta = 25C)

Parameter

Symbol

V_DSS

V_GSS

I_D

Limits

30

Unit

(1)

(2)

(3)

Drain-source voltage

∗1 ESD PROTECTION DIODE

∗2 BODY DIODE

Gate-source voltage

20

Continuous

9

Drain current

Pulsed

I_DP

I_S

36

1.6

Continuous

Pulsed

Source current

(Body Diode)

I_SP

36

Power dissipation

P_D

2.0

C

Channel temperature

Tch

Tstg

150

Range of storage temperature

*1 Pw10s, Duty cycle1%

55 to +150

*2 Mounted on a ceramic board.

 Thermal resistance

Parameter

Symbol

Rth (ch-a)^*

Limits

62.5

Unit

Channel to Ambient

*Mounted on a ceramic board.

C / W

www.rohm.com

2010.06 - Rev.A

1/5

12 3 4 5 6

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
RP1E090XN	ROHM	获取价格	4V Drive Nch MOSFET
RP1E090XNTR	ROHM	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 30V, 0.027ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
RP1E100RP	ROHM	获取价格	4V Drive Pch MOSFET
RP1E100RPTR	ROHM	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 30V, 0.0126ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me
RP1E100XN	ROHM	获取价格	4V Drive Nch MOSFET
RP1E100XNTR	ROHM	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 30V, 0.018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
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