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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6 |
| 针数： | 6 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.21.00.75 |
| 风险等级： | 5.74 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 0.0468 | 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 50 V | 配置： | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 80 | JESD-30 代码： | R-PDSO-G6 |
| 元件数量： | 2 | 端子数量： | 6 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | PNP |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 200 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| RN2965CT | TOSHIBA | Switching Applications Inverter Circuit Applications Interface Circuit Applications Driver |
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| RN2965CT(TE85L) | TOSHIBA | PRE-BIASED "DIGITAL" TRANSISTOR,20V V(BR)CEO,50MA I(C),LLCC |
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| RN2965FE | TOSHIBA | Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) (Bias Resistor Built-in Transistor) |
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| RN2965FE(TE85L) | TOSHIBA | RN2965FE(TE85L) |
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| RN2965FE(TE85L,F) | TOSHIBA | PRE-BIASED "DIGITAL" TRANSISTOR,50V V(BR)CEO,100MA I(C),SOT-363VAR |
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| RN2965FS | TOSHIBA | Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications |
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