5秒后页面跳转
RN2317 PDF预览

RN2317

更新时间: 2024-02-07 02:22:14
品牌 Logo 应用领域
其他 - ETC 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 219K
描述
TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SC-70

RN2317 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active零件包装代码:SC-70
包装说明:SC-70, 3 PIN针数:3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.21.00.75风险等级:5.53
其他特性:BUILT-IN RESISTOR RATIO IS 0.47最大集电极电流 (IC):0.1 A
基于收集器的最大容量:6 pF集电极-发射极最大电压:50 V
配置:SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR最小直流电流增益 (hFE):30
JESD-30 代码:R-PDSO-G3元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:PNP最大功率耗散 (Abs):0.1 W
认证状态:Not Qualified子类别:BIP General Purpose Small Signal
表面贴装:YES端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):200 MHzVCEsat-Max:0.3 V
Base Number Matches:1

RN2317 数据手册

 浏览型号RN2317的Datasheet PDF文件第2页浏览型号RN2317的Datasheet PDF文件第3页浏览型号RN2317的Datasheet PDF文件第4页浏览型号RN2317的Datasheet PDF文件第5页浏览型号RN2317的Datasheet PDF文件第6页浏览型号RN2317的Datasheet PDF文件第7页 
Powered by ICminer.com Electronic-Library Service CopyRight 2003  

与RN2317相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
RN2317(TE85L,F) TOSHIBA

获取价格

TRANSISTOR PNP 50V 0.1A SC-70
RN2317(TE85L2) TOSHIBA

获取价格

TRANSISTOR 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, USM, 2-2E1A, SC-70, 3 PIN, BIP
RN2318 ETC

获取价格

TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SC-70
RN2318(TE85L,F) TOSHIBA

获取价格

TRANSISTOR PNP 50V 0.1A SC-70
RN2318(TE85L2) TOSHIBA

获取价格

TRANSISTOR 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, USM, 2-2E1A, SC-70, 3 PIN, BIP
RN2318(TE85R) TOSHIBA

获取价格

TRANSISTOR 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, USM, 2-2E1A, SC-70, 3 PIN, BIP
RN232-0.6-02-47M Schaffner

获取价格

Current-compensated Chokes
RN232-1.6-02 ETC

获取价格

Current-compensated Chokes
RN232-1.6-02-10M Schaffner

获取价格

Current-compensated Chokes
RN232-1-02-18M Schaffner

获取价格

Current-compensated Chokes