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RN1314(TE85L2)

更新时间： 2024-02-22 17:49:20

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东芝 - TOSHIBA		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	451K
描述
TRANSISTOR 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, USM, 2-2E1A, SC-70, 3 PIN, BIP General Purpose Small Signal

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RN1314(TE85L2) 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SC-70
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.75	风险等级：	5.78
其他特性：	BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 0.1	最大集电极电流 (IC)：	0.1 A
集电极-发射极最大电压：	50 V	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：	50	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	250 MHz	Base Number Matches：	1

RN1314(TE85L2) 数据手册

RN1314∼RN1318

TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process)

RN1314,RN1315,RN1316

RN1317,RN1318

Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit

and Driver Circuit Applications

Unit: mm

z With built-in bias resistors

z Simplify circuit design

z Reduce a quantity of parts and manufacturing process

z Complementary to RN2314~RN2318

Equivalent Circuit and Bias Resister Values

Type No.

R1 (kΩ)

R2 (kΩ)

RN1314

RN1315

RN1316

RN1317

RN1318

4.7

2.2

4.7

JEDEC

―

JEITA

SC-70

TOSHIBA

2-2E1A

Weight: 0.006g (typ.)

Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)

Characteristic

Collector-base voltage

Symbol

Rating

Unit

CBO

CEO

RN1314~1318

Collector-emitter voltage

RN1314

RN1315

RN1316

RN1317

RN1318

Emitter-base voltage

EBO

Collector current

100

150

−55~150

°C

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature range

RN1314~1318

stg

°C

Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the

significant change in temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even

if the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum

ratings.

Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook

(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test

report and estimated failure rate, etc).

2007-11-01

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
RN1314(TE85R)	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, USM, 2-2E1A, SC-70, 3 PIN, BIP
RN1315	TOSHIBA	获取价格	TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process)
RN1315(TE85L)	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, USM, 2-2E1A, SC-70, 3 PIN, BIP
RN1315(TE85L,F)	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR NPN 50V 0.1A SC-70
RN1315(TE85L2)	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, USM, 2-2E1A, SC-70, 3 PIN, BIP
RN1315(TE85R)	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, USM, 2-2E1A, SC-70, 3 PIN, BIP
RN1316	TOSHIBA	获取价格	TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process)
RN1316(TE85L)	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, USM, 2-2E1A, SC-70, 3 PIN, BIP
RN1316(TE85L,F)	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR NPN 50V 0.1A SC-70
RN1316(TE85L2)	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, USM, 2-2E1A, SC-70, 3 PIN, BIP

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