5秒后页面跳转
RN1206(TPE4) PDF预览

RN1206(TPE4)

更新时间: 2024-11-01 21:15:07
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 开关晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 165K
描述
TRANSISTOR 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-4E1A, 3 PIN, BIP General Purpose Small Signal

RN1206(TPE4) 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:IN-LINE, R-PSIP-T3
针数:3Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.21.00.75
风险等级:5.78其他特性:BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 10
最大集电极电流 (IC):0.1 A基于收集器的最大容量:6 pF
集电极-发射极最大电压:50 V配置:SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE):80JESD-30 代码:R-PSIP-T3
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
极性/信道类型:NPN认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):250 MHz
VCEsat-Max:0.3 VBase Number Matches:1

RN1206(TPE4) 数据手册

 浏览型号RN1206(TPE4)的Datasheet PDF文件第2页浏览型号RN1206(TPE4)的Datasheet PDF文件第3页浏览型号RN1206(TPE4)的Datasheet PDF文件第4页浏览型号RN1206(TPE4)的Datasheet PDF文件第5页 

与RN1206(TPE4)相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
RN1207 TOSHIBA

获取价格

TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process)
RN1207(TPE4) TOSHIBA

获取价格

TRANSISTOR 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-4E1A, 3 PIN, BIP General Purp
RN1207_07 TOSHIBA

获取价格

Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit And Driver Circuit Applications
RN-1207S RECOM

获取价格

1.25 Watt DIP8 Sigle Output
RN-1207S/H ETC

获取价格

CONV DC/DC 1.25W 12VIN 07VOUT
RN-1207S/HP ETC

获取价格

CONV DC/DC 1.25W 12VIN 07VOUT
RN-1207S/P ETC

获取价格

CONV DC/DC 1.25W 12VIN 07VOUT
RN-1207SHP RECOM

获取价格

1.25 Watt DIP8 Single Output
RN-1207SP RECOM

获取价格

1.25 Watt DIP8 Single Output
RN1208 TOSHIBA

获取价格

TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process)