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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | TO-220AB |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.36 | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 60 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 25 A | 最大漏极电流 (ID)： | 25 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.095 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | P-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 35 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 50 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| RJJ0621DPP-E0#T2 | RENESAS |
获取价格 |
Pch Single Power Mosfet -60V -25A 56Mohm To-220Fp, TO-220FP, /Tube |
|
| RJJ0621DPP-E0-T2 | RENESAS |
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POWER, FET |
|
| RJJ1011DPD | RENESAS |
获取价格 |
P Channel Power MOS FET High Speed Switching |
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| RJJ1011DPD-00-J2 | RENESAS |
获取价格 |
P Channel Power MOS FET High Speed Switching |
|
| RJK005N03 | ROHM |
获取价格 |
2.5V Drive Nch MOS FET |
|
| RJK005N03FRAT146 | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.5A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| RJK005N03T146 | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.5A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| RJK0202DSP | RENESAS |
获取价格 |
Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching |
|
| RJK0202DSP-00-J0 | RENESAS |
获取价格 |
Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching |
|
| RJK0204DPA | RENESAS |
获取价格 |
Silicon N Channel Power MOS FET with Schottky Barrier Diode Power Switching |
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