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RJK005N03T146

更新时间： 2024-11-21 20:53:15
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 47K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.5A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SMT3, 3 PIN

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RJK005N03T146 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：7.93
Samacsys Description：2.5V Drive Nch MOSFET: MOSFETs are made as ultra-low ON-resistance by the micro-processing technologies suitable for mobilr equipment for low current consumption. In wide lineup including compact type, high-power type and complex type to meet in the market.配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：0.5 A
最大漏极电流 (ID)：0.5 A最大漏源导通电阻：0.94 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e1湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：0.2 W
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：TIN SILVER COPPER
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：10晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

RJK005N03T146 数据手册

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RJK005N03  
Transistors  
2.5V Drive Nch MOS FET  
RJK005N03  
zStructure  
zExternal dimensions (Unit : mm)  
Silicon N-channel MOS FET  
SMT3  
2.9  
1.1  
0.8  
0.4  
zFeatures  
( )  
3
1) Low On-resistance.  
2) Low voltage drive (2.5V drive).  
( )  
2
( )  
1
0.95 0.95  
1.9  
0.15  
(1)Source  
(2)Gate  
zApplications  
Switching  
Each lead has same dimensions  
(3)Drain  
Abbreviated symbol : KV  
zPackaging specifications and hFE  
zInner circuit  
(3)  
Package  
Taping  
Type  
Code  
T146  
3000  
Basic ordering unit (pieces)  
RJK005N03  
(2)  
∗2  
(1) Source  
(2) Gate  
(3) Drain  
∗1  
(1)  
∗1 ESD PROTECTION DIODE  
∗2 BODY DIODE  
zAbsolute maximum ratings (Ta=25°C)  
Parameter  
Drain-source voltage  
Gate-source voltage  
Symbol  
VDSS  
VGSS  
ID  
Limits  
30  
Unit  
V
12  
V
Continuous  
500  
mA  
A
Drain current  
Pulsed  
∗1  
IDP  
IS  
2.0  
Source current  
(Body Diode)  
Continuous  
200  
mA  
mA  
mW  
°C  
°C  
∗1  
∗2  
Pulsed  
ISP  
800  
Total power dissipation  
Channel temperature  
PD  
200  
Tch  
Tstg  
150  
Range of storage temperature  
∗1 Pw≤10µs, Duty cycle≤1%  
∗2 Each terminal mounted on a recommended land  
−55 to +150  
zThermal resistance  
Parameter  
Symbol  
Limits  
625  
Unit  
∗
Channel to ambient  
∗ Each terminal mounted on a recommended land  
Rth(ch-a)  
°C/W  
1/2  
123

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RJK005N03T146 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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