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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-N5 |
| 针数： | 8 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.84 |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 25 V | 最大漏极电流 (ID)： | 40 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.0074 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-N5 | JESD-609代码： | e4 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 5 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 160 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | NICKEL PALLADIUM GOLD | 端子形式： | NO LEAD |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| RJK0210DPA-00-J5A | RENESAS |
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Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching |
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| RJK0211DPA | RENESAS |
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Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching |
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| RJK0211DPA_10 | RENESAS |
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Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching |
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| RJK0211DPA-00-J53 | RENESAS |
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Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching |
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| RJK0211DPA-00-J5A | RENESAS |
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POWER, FET |
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| RJK0212DPA | RENESAS |
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Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching |
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| RJK0212DPA_10 | RENESAS |
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Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching |
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| RJK0212DPA-00-J53 | RENESAS |
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Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching |
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| RJK0212DPA-00-J5A | RENESAS |
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Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching |
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| RJK0213DPA | RENESAS |
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Silicon N Channel Power MOS FET with Schottky Barrier Diode Power Switching |
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