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RJK0225DNS-00-J5

更新时间： 2024-11-11 20:10:59
品牌 Logo 应用领域
瑞萨 - RENESAS 开关脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 143K
描述
30 A, 25 V, 0.0096 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, HALOGEN AND LEAD FREE, HVSON-8

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RJK0225DNS-00-J5 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F5
针数：8Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.84
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：25 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：30 A
最大漏极电流 (ID)：30 A最大漏源导通电阻：0.0096 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-F5
元件数量：1端子数量：5
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：30 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：120 A子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子形式：FLAT
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

RJK0225DNS-00-J5 数据手册

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Preliminary Datasheet  
RJK0225DNS  
Silicon N Channel Power MOS FET  
Power Switching  
R07DS0259EJ0110  
Rev.1.10  
Mar 03, 2011  
Features  
Very High speed switching  
Capable of 4.5 V gate drive  
Low drive current  
High density mounting  
Low on-resistance  
RDS(on) = 5.9 mtyp. (at VGS = 10 V)  
Pb-free  
Halogen-free  
Outline  
Package name: 8pin HVSON(3333)  
5
6
7 8  
D D D D  
8
7
6
5
1, 2, 3  
4
5, 6, 7, 8 Drain  
Source  
Gate  
4
G
1
2
3
4
S
1
S S  
2
3
Absolute Maximum Ratings  
(Ta = 25°C)  
Item  
Drain to source voltage  
Gate to source voltage  
Drain current  
Symbol  
VDSS  
VGSS  
ID  
Ratings  
25  
Unit  
V
V
+16, –12  
30  
A
Note1  
Drain peak current  
ID(pulse)  
120  
A
Body-drain diode reverse drain current  
Avalanche current  
IDR  
30  
A
Note 2  
IAP  
18  
A
Note 2  
Avalanche energy  
EAR  
40.5  
30  
mJ  
W
Channel dissipation  
Pch Note3  
ch-c Note3  
Tch  
Channel to case thermal impedance  
Channel temperature  
Storage temperature  
4.17  
150  
C/W  
C  
C  
Tstg  
–55 to +150  
Notes: 1. PW 10 s, duty cycle 1%  
2. Value at Tch = 25C, Rg 50   
3. Tc = 25C  
R07DS0259EJ0110 Rev.1.10  
Mar 03, 2011  
Page 1 of 6  
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与RJK0225DNS-00-J5相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
RJK0226DNS RENESAS

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 		Silicon N Channel Power MOS FET with Schottky Barrier Diode Power Switching
RJK0226DNS-00-J5 RENESAS

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 		40A, 25V, 0.0034ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, HALOGEN AND LEAD FREE, HVSON-8
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