5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > RD38F4050L0ZTQ0
RD38F4050L0ZTQ0 PDF预览

RD38F4050L0ZTQ0

更新时间： 2024-11-10 18:56:07
品牌 Logo 应用领域
英特尔 - INTEL 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
54页 966K
描述
Memory Circuit, Flash+PSRAM, 16MX16, CMOS, PBGA88, 8 X 10 MM, SCSP-88

阅读下载

中文翻译

获取价格

RD38F4050L0ZTQ0 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：BGA包装说明：TFBGA, BGA88,8X12,32
针数：88Reach Compliance Code：compliant
HTS代码：8542.32.00.71风险等级：5.89
最长访问时间：85 ns其他特性：CONTAINS 64M BIT PSRAM
JESD-30 代码：R-PBGA-B88JESD-609代码：e0
长度：10 mm内存密度：268435456 bit
内存集成电路类型：MEMORY CIRCUIT内存宽度：16
混合内存类型：FLASH+PSRAM功能数量：1
端子数量：88字数：16777216 words
字数代码：16000000工作模式：SYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-25 °C
组织：16MX16封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TFBGA封装等效代码：BGA88,8X12,32
封装形状：RECTANGULAR封装形式：GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED电源：1.8,3 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.2 mm
最大待机电流：0.00015 A子类别：Other Memory ICs
最大压摆率：0.045 mA最大供电电压 (Vsup)：2 V
最小供电电压 (Vsup)：1.7 V标称供电电压 (Vsup)：1.8 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：OTHER端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：BALL端子节距：0.8 mm
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
宽度：8 mmBase Number Matches：1

RD38F4050L0ZTQ0 数据手册

 浏览型号RD38F4050L0ZTQ0的Datasheet PDF文件第2页浏览型号RD38F4050L0ZTQ0的Datasheet PDF文件第3页浏览型号RD38F4050L0ZTQ0的Datasheet PDF文件第4页浏览型号RD38F4050L0ZTQ0的Datasheet PDF文件第5页浏览型号RD38F4050L0ZTQ0的Datasheet PDF文件第6页浏览型号RD38F4050L0ZTQ0的Datasheet PDF文件第7页 
£
Intel StrataFlash Wireless Memory  
System (LV18/LV30 SCSP)  
768-Mbit LVQ Family with Asynchronous Static RAM  
Datasheet  
Product Features  
■ Device Architecture  
■ xRAM Performance  
—Code and data segment: 128- and 256-  
Mbit density; PSRAM: 32- and 64-Mbit  
density; SRAM: 8 Mbit density.  
—PSRAM at 1.8 V I/O : 85 ns initial  
access, 30 ns async page reads; 65 ns  
initial access, 18 ns async page.  
—Top or bottom parameter configuration.  
—Asymmetrical blocking structure.  
—SRAM at 1.8 or 3.0 V I/O: 70 ns initial  
access.  
■ Flash Performance  
—16-KWord parameter blocks (Top or  
Bottom); 64-K Word main blocks.  
—Code Segment at 1.8 V I/O: 85 ns initial  
access; 25 ns async page read; 14 ns  
sync reads (tCHQV); 54 MHz CLK.  
—Zero-latency block locking.  
—Absolute write protection with block  
lock down using F-WP#.  
—Data Segment at 1.8 V I/O: 170 ns initial  
access; 55 ns async page read.  
■ Device Voltage  
■ Flash Architecture  
—Core: VCC = 1.8 V (typ).  
—Hardware Read-While-Write/Erase.  
—8-Mbit or 16-Mbit Multi-Partition.  
—I/O: VCCQ = 1.8 V or 3.0 V (typ).  
■ Device Concurrent Operations (3 Dies)  
—Buffered EFP: 600 KB per second.  
—2-Kbit One-Time Programmable (OTP)  
Protection Register.  
—Erase Performance: 384 KB per second  
(main blocks).  
—Software Read-While-Write/Erase.  
—Single Full-Die Partition size.  
■ Flash Software  
£
■ Device Packaging  
—88 balls (8 x 10 active ball matrix).  
—Area: 8 x 10 mm or 8 x 11 mm.  
—Height: 1.0 mm to 1.4 mm.  
£
£
—Intel FDI, Intel PSM, and Intel  
VFM.  
—Common Flash Interface (CFI).  
—Basic/Extended Command Set.  
■ Quality and Reliability  
—Extended Temp: –25 °C to +85 °C.  
—Minimum 100 K flash block erase cycle.  
The Intel StrataFlash® Wireless Memory System (LV18/LV30 SCSP); 768-Mbit LVQ Family  
with Asynchronous Static RAM device offers a high performance code and large embedded data  
segment plus RAM combination in a common package with electrical QUAD+ ballout on 0.13  
µm ETOX™ VIII flash technology. The code segment flash die features 1.8 V low-power  
operations with flexible, multi-partition, dual operation Read-While-Write / Read-While-Erase,  
asynchronous and synchronous burst reads at 54 MHz. The data segment flash die features 1.8 V  
low-power operations optimized for cost sensitive asynchronous data applications. This device  
integrates up to three flash dies, two PSRAM dies, and one SRAM die in a low-profile package  
compatible with other SCSP families using the QUAD+ ballout package.  
Notice: This document contains information on new products in production. The specifications  
are subject to change without notice. Verify with your local Intel sales office that you have the lat-  
est datasheet before finalizing a design.  
253852-002  
December 2003  
1234567...54

中文翻译

下载PDF

与RD38F4050L0ZTQ0相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
RD38F4050L0ZTQ1 NUMONYX

获取价格

 		Memory Circuit, Flash+PSRAM, Hybrid, PBGA88,
RD38F4060L0YBB0 NUMONYX

获取价格

 		Memory Circuit, Flash+SDRAM, PBGA103,
RD38F4062L0YBB0 NUMONYX

获取价格

 		Memory Circuit, Flash+SDRAM, PBGA103,
RD38F4062L0YTB0 NUMONYX

获取价格

 		Memory Circuit, Flash+SDRAM, PBGA103,
RD38F4070L0YBB0 NUMONYX

获取价格

 		Memory Circuit, Flash+SDRAM, PBGA103,
RD38F4070L0YTB0 NUMONYX

获取价格

 		Memory Circuit, Flash+SDRAM, PBGA103,
RD38F4420LVYTQ0 INTEL

获取价格

 		Memory Circuit, 16MX16, CMOS, PBGA88, 8 X 11 MM, 1.40 MM HEIGHT, QUAD, SCSP-88
RD38F4455LLZBQ0 NUMONYX

获取价格

 		Memory Circuit, Flash+PSRAM, Hybrid, PBGA88,
RD38F4455LLZTQ0 NUMONYX

获取价格

 		Memory Circuit, Flash+PSRAM, Hybrid, PBGA88,
RD38F4455LVYBQ0 INTEL

获取价格

 		Memory Circuit, Flash+PSRAM, 16MX16, CMOS, PBGA88, 11 X 13 MM, SCSP-88

与RD38F4050L0ZTQ0相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证