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RD38F4420LVYTQ0

更新时间： 2024-11-10 20:09:03

品牌	Logo	应用领域
英特尔 - INTEL		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
50页	736K
描述
Memory Circuit, 16MX16, CMOS, PBGA88, 8 X 11 MM, 1.40 MM HEIGHT, QUAD, SCSP-88

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RD38F4420LVYTQ0 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	BGA
包装说明：	LFBGA,	针数：	88
Reach Compliance Code：	compliant	HTS代码：	8542.32.00.71
风险等级：	5.92	其他特性：	CONTAINS 256M BIT FLASH; SRAM IS ORGANIZED AS 512K X 16; SYNCHRONOUS BURST MODE OPERATION
JESD-30 代码：	R-PBGA-B88	JESD-609代码：	e0
长度：	11 mm	内存密度：	268435456 bit
内存集成电路类型：	MEMORY CIRCUIT	内存宽度：	16
功能数量：	1	端子数量：	88
字数：	16777216 words	字数代码：	16000000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-25 °C	组织：	16MX16
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	LFBGA
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度（摄氏度）：	240	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.4 mm	最大供电电压 (Vsup)：	2 V
最小供电电压 (Vsup)：	1.7 V	标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	OTHER	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	BALL	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
宽度：	8 mm	Base Number Matches：	1

RD38F4420LVYTQ0 数据手册

Intel StrataFlash Wireless Memory

System (LV18/LV30 SCSP)

768-Mbit LVQ Family with Asynchronous Static RAM

Datasheet

Product Features

■ Device Architecture

■ Code Segment Flash

—Flash density: 64-, 128-, 256-Mbit

—PSRAM density: 32-, 64-, 128-Mbit

—SRAM density: 8-Mbit

—85 ns initial access at 1.8 V I/O

—25 ns async page read at 1.8 V I/O

—14 ns sync read (t_CHQV) at 1.8 V I/O

—54 MHz CLK at 1.8 V I/O

■ Device Voltage

—V_CC= 1.8 V, V_CCQ= 1.8 V/3.0 V (Typ)

■ Device Packaging

—Hardware Read-While-Write/Erase

—Mult. 8-Mbit or 16-Mbit Partition Sizes

—88 balls (8 x 10 active ball matrix)

—Area: 8 x 10 mm or 8 x 11 mm

—Height: 1.0 mm to 1.4 mm

■ PSRAM Performance

—2-Kbit One-Time Programmable (OTP)

Protection Register

■ Data Segment Flash

—170 ns initial access at 1.8 V I/O

—55 ns async page read at 1.8 V I/O

—Software Read-While-Write/Erase

■ Common Flash Architecture

—Buffered EFP: 5 µs/Byte (Typ) per die

—Buffer Program: 7 µs/Byte (Typ) per die

—85 ns initial access, 30 ns async page

reads at 1.8 V I/O

—65 ns initial access, 18 ns async page

reads at 3.0 V I/O

■ SRAM Performance

—70 ns initial access at 1.8 or 3.0 V I/O

■ Quality and Reliability

—16-KWord parameter blocks (Top or

Bottom); 64-KWord main blocks

—Extended Temp: –25 °C to +85 °C

—Minimum 100-K flash block erase cycle

—0.13 µm ETOX¥ VIII flash technology

—Zero-latency block locking

—Absolute write protection with block

lock down using F-WP#

■ Flash Software

—Intel FDI, Intel PSM, and Intel VFM

—Common Flash Interface (CFI)

The Intel StrataFlash^®Wireless Memory System (LV18/LV30 SCSP); 768-Mbit LVQ Family

with Asynchronous Static RAM device offers a high performance code and large embedded data

segment plus RAM combination in a common package with electrical QUAD+ ballout on 0.13

µm ETOX™ VIII flash technology. The code segment flash die features 1.8 V low-power

operations with flexible, multi-partition, dual operation Read-While-Write / Read-While-Erase,

asynchronous and synchronous burst reads at 54 MHz. The data segment flash die features 1.8 V

low-power operations optimized for cost sensitive asynchronous data applications. This device

integrates up to three flash dies, two PSRAM dies, and one SRAM die in a low-profile package

compatible with other SCSP families using the QUAD+ ballout package.

Notice: This document contains information on new products in production. The specifications

are subject to change without notice. Verify with your local Intel sales office that you have the lat-

est datasheet before finalizing a design.

253852-003

May 2004

12 3 4 5 6 7...50

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