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RD38F4062L0YTB0

更新时间： 2024-09-21 18:07:07

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恒忆 - NUMONYX		动态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
48页	865K
描述
Memory Circuit, Flash+SDRAM, PBGA103,

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RD38F4062L0YTB0 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	FBGA, BGA103,9X12,32	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.77	最长访问时间：	70 ns
JESD-30 代码：	R-PBGA-B103	内存集成电路类型：	MEMORY CIRCUIT
混合内存类型：	FLASH+SDRAM	端子数量：	103
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	FBGA
封装等效代码：	BGA103,9X12,32	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY, FINE PITCH	电源：	1.8 V
认证状态：	Not Qualified	最大待机电流：	0.00002 A
子类别：	Other Memory ICs	最大压摆率：	0.08 mA
标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V	表面贴装：	YES
端子形式：	BALL	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	BOTTOM	Base Number Matches：	1

RD38F4062L0YTB0 数据手册

Numonyx™ StrataFlash Wireless Memory

(L18)

512-Mbit LX Family with LPSDRAM (x16)

Datasheet

Product Features

Device Architecture

Flash Performance

— Flash die density: 128- or 256-Mbit

— LPSDRAM die density: 128- or 256-Mbit

— Async SRAM die density: 8-Mbit

— 85 ns Asynchronous single-word read

— 25 ns Asynchronous four-word page read

— 14 ns Synchronous read (t_CHQV

)

— Top, Bottom or Dual flash parameter

configuration

Device Voltage

— 54 MHz CLK

— Buffered Enhanced Factory Programming: 5

µs/byte (typ.) per die

— Core: V_CC= 1.8 V (Typ)

— I/O: V_CCQ= 1.8 V (Typ)

Device Packaging

— Ball count: 103 Active balls

— Area: 9x11 mm

— Height: 1.2 mm to 1.4 mm

SDRAM Architecture and Performance

— Clock rate: 104 MHz

— Four internal banks

— Burst length: 1, 2, 4, 8 or full page

SRAM Performance

— 70 ns initial access at 1.8 V I/O

Quality and Reliability

— Buffered programming at 7 µs/byte (typ.)

per die

Flash Architecture

— Hardware Read-While-Write/Erase

— Asymmetrical blocking structure

— 8-Mbit or 16-Mbit partition size

— 16-KWord parameter blocks (Top or

Bottom); 64-KWord main blocks

— 2-Kbit One-Time Programmable (OTP)

Protection Register

— Zero-latency block locking

— Absolute write protection with block lock-

down using F-VPP and F-WP#

Flash Software

— Extended Temperature –25 °C to +85 °C

— Minimum 100K Flash Block Erase cycles

— 0.13 µm ETOX™ VIII Process

— Numonyx™ FDI, Numonyx™ PSM and

Numonyx™ VFM

— Common Flash Interface (CFI)

— Basic/Extended Command Set

317623-15

November 2007

12 3 4 5 6 7...48

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
RD38F4070L0YBB0	NUMONYX	获取价格	Memory Circuit, Flash+SDRAM, PBGA103,
RD38F4070L0YTB0	NUMONYX	获取价格	Memory Circuit, Flash+SDRAM, PBGA103,
RD38F4420LVYTQ0	INTEL	获取价格	Memory Circuit, 16MX16, CMOS, PBGA88, 8 X 11 MM, 1.40 MM HEIGHT, QUAD, SCSP-88
RD38F4455LLZBQ0	NUMONYX	获取价格	Memory Circuit, Flash+PSRAM, Hybrid, PBGA88,
RD38F4455LLZTQ0	NUMONYX	获取价格	Memory Circuit, Flash+PSRAM, Hybrid, PBGA88,
RD38F4455LVYBQ0	INTEL	获取价格	Memory Circuit, Flash+PSRAM, 16MX16, CMOS, PBGA88, 11 X 13 MM, SCSP-88
RD38F4455LVYTQ0	INTEL	获取价格	Memory Circuit, Flash+PSRAM, 16MX16, CMOS, PBGA88, 11 X 13 MM, SCSP-88
RD38F5060M0Y1B0	INTEL	获取价格	Memory Circuit, Flash+SRAM, PBGA105
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