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RD28F1602C3T90

更新时间： 2024-01-22 01:51:03
品牌 Logo 应用领域
英特尔 - INTEL 闪存
页数 文件大小 规格书
70页 1167K
描述
3 VOLT INTEL Advanced+BootBlock FlashMemory(C3)Stacked-ChipScalPackageFamilye

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RD28F1602C3T90 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：BGA
包装说明：LFBGA, BGA68,8X12,32针数：66
Reach Compliance Code：unknownHTS代码：8542.32.00.71
风险等级：5.81最长访问时间：90 ns
其他特性：SRAM IS ORGANIZED AS 256K X 16JESD-30 代码：R-PBGA-B66
长度：10 mm内存密度：16777216 bit
内存集成电路类型：MEMORY CIRCUIT内存宽度：16
混合内存类型：FLASH+SRAM功能数量：1
端子数量：66字数：1048576 words
字数代码：1000000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-25 °C
组织：1MX16封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：LFBGA封装等效代码：BGA68,8X12,32
封装形状：RECTANGULAR封装形式：GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH
电源：3 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.4 mm最大待机电流：0.000035 A
子类别：Other Memory ICs最大压摆率：0.055 mA
最大供电电压 (Vsup)：3.3 V最小供电电压 (Vsup)：2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：COMMERCIAL EXTENDED
端子形式：BALL端子节距：0.8 mm
端子位置：BOTTOM宽度：8 mm

RD28F1602C3T90 数据手册

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3 Volt Intel® Advanced+ Boot Block  
Flash Memory (C3) Stacked-Chip Scale  
Package Family  
Datasheet  
Product Features  
■ Flash Memory Plus SRAM  
■ Advanced+ Boot Block Flash Memory  
—70 ns Access Time at 2.7 V  
—Reduces Memory Board Space  
Required, Simplifying PCB Design  
Complexity  
—Instant, Individual Block Locking  
—128 bit Protection Register  
—12 V Production Programming  
—Ultra Fast Program and Erase Suspend  
—Extended Temperature –25 °C to +85 °C  
■ Blocking Architecture  
■ Stacked-Chip Scale Package (Stacked-  
CSP) Technology  
—Smallest Memory Subsystem Footprint  
—Area : 8 x 10 mm for 16Mbit (0.13 µm)  
Flash + 2Mbit or 4Mbit SRAM  
—Block Sizes for Code + Data Storage  
—4-Kword Parameter Blocks (for data)  
—64-Kbyte Main Blocks (for code)  
—100,000 Erase Cycles per Block  
■ Low Power Operation  
—Async Read Current: 9 mA (Flash)  
—Standby Current: 7 µA (Flash)  
—Automatic Power Saving Mode  
■ Flash Technologies  
—Area : 8 x 12 mm for 32Mbit (0.13 µm)  
Flash + 4Mbit or 8Mbit SRAM  
—Height : 1.20 mm for 16Mbit (0.13 µm)  
Flash + 2Mbit or 4Mbit SRAM and  
32Mbit (0.13um) Flash + 8Mbit SRAM  
—Height : 1.40 mm for 32Mbit (0.13 µm)  
Flash + 4Mbit SRAM  
—This Family also includes 0.25 µm and  
0.18 µm technologies  
■ Advanced SRAM Technology  
—70 ns Access Time  
—0.25 µm ETOX™ VI, 0.18 µm ETOX™  
VII and 0.13 µm ETOX™ VIII Flash  
Technologies  
—Low Power Operation  
—Low Voltage Data Retention Mode  
■ Intel® Flash Data Integrator (FDI)  
—28F160xC3, 28F320xC3  
Software  
—Real-Time Data Storage and Code  
Execution in the Same Memory Device  
—Full Flash File Manager Capability  
The 3 Volt Intel® Advanced+ Boot Block Flash Memory (C3) Stacked-Chip Scale Package  
(Stacked-CSP) device delivers a feature-rich solution for low-power applications. The C3  
Stacked-CSP memory device incorporates flash memory and static RAM in one package with  
low voltage capability to achieve the smallest system memory solution form-factor together with  
high-speed, low-power operations. The C3 Stacked-CSP memory device offers a protection  
register and flexible block locking to enable next generation security capability. Combined with  
the Intel® Flash Data Integrator (Intel® FDI) software, the C3 Stacked-CSP memory device  
provides a cost-effective, flexible, code plus data storage solution.  
Notice: This document contains information on new products in production. The specifications  
are subject to change without notice. Verify with your local Intel sales office that you have the lat-  
est datasheet before finalizing a design.  
252636-001  
February, 2003  
1234567...70

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
RD28F1602C3TD70 INTEL

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 		3 VOLT INTEL Advanced+BootBlock FlashMemory(C3)Stacked-ChipScalPackageFamilye
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