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RB521S-40-TP

更新时间： 2024-11-21 15:49:15
品牌 Logo 应用领域
美微科 - MCC 光电二极管
页数 文件大小 规格书
3页 412K
描述
Rectifier Diode,

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RB521S-40-TP 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.59
其他特性：HIGH RELIABILITY配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：R-PDSO-F2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：125 °C
最大输出电流：0.2 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260最大功率耗散：0.15 W
最大重复峰值反向电压：40 V表面贴装：YES
技术：SCHOTTKY端子面层：Tin (Sn)
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：10Base Number Matches：1

RB521S-40-TP 数据手册

 浏览型号RB521S-40-TP的Datasheet PDF文件第2页浏览型号RB521S-40-TP的Datasheet PDF文件第3页 
M C C  
R
Micro Commercial Components  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents  
20736 Marilla Street Chatsworth  
ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ  
RB521S-40  
ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ  
$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ  
Features  
·
200 mA  
Schottky Barrier Diode  
40 Volts  
Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating  
·
Moisture Sensitivity Level 1  
High Reliability  
•
•
•
x
Low Reverse Current and Low Forward Voltage.  
Small Surface Mount Type  
Marking :S  
•
Lead Free Finish/RoHS Compliant("P" Suffix  
designates RoHS Compliant. See ordering information)  
•
Halogen free available upon request by adding suffix "-HF"  
SOD-523  
Maximum Ratings  
A
B
Symbol  
Parameter  
Value  
Unit  
VRM  
VRRM  
VRWM  
VR(RMS)  
IO  
Non-repetitive peak reverse voltage  
Peak repetitive reverse voltage  
Working peak reverse voltage  
RMS reverse voltage  
45  
V
C
E
40  
V
28  
V
G
Average rectified output current  
200  
mA  
IFSM  
PD  
Non-repetitive peak forward surge current @t=8.3ms  
1
150  
A
D
F
Power dissipation  
mW  
RθJA  
Thermal resistance from junction to ambient  
Junction temperature  
667  
℃/W  
H
℃
TJ  
125  
Tstg  
Storage temperature  
℃
-55~+150  
O
Electrical Characteristics @ 25 C Unless Otherwise Specified  
Symbol  
Parameter  
Min  
Typ  
Max  
Units  
DIMENSIONS  
INCHES  
MIN  
MM  
OFF CHARACTERISTICS  
DIM  
A
MAX  
MIN  
1.50  
1.10  
0.75  
0.01  
0.25  
0.08  
0.50  
0.51  
MAX  
1.70  
1.30  
0.85  
0.07  
0.35  
0.15  
0.70  
0.77  
NOTE  
Forward Voltage  
VF  
0.30  
0.45  
0.54  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
--  
.059  
.043  
.030  
.001  
.010  
.003  
.020  
.020  
.067  
.051  
.033  
.003  
.014  
.006  
.028  
.031  
0.16  
0.31  
0.41  
(IF=10mAdc)  
B
--  
--  
(IF=100mAdc)  
(IF=200mAdc)  
C
D
E
Reverse Current  
(VR=10Vdc)  
(VR=40Vdc)  
F
IR  
---  
---  
---  
---  
20  
90  
µAdc  
µAdc  
G
H
Reverse Breakdown Voltage  
(IR=100μA)  
V(BR)  
40  
--  
---  
Vdc  
www.mccsemi.com  
1 of 3  
Revision: A  
2016/02/26  
123

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与RB521S-40-TP相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
RB521S-60 BL Galaxy Electrical

获取价格

 		0.2A,60V,Surface Mount Small Signal Schottky Diodes
RB521SB-40 FOSHAN

获取价格

 		SOD-323
RB521SL-30 BL Galaxy Electrical

获取价格

 		0.1A,30V,Surface Mount Small Signal Schottky Diodes
RB521SM-30 ROHM

获取价格

 		Schottky Barrier Diode
RB521SM-30FH ROHM

获取价格

 		车载肖特基二极管与通用品共用数据表。下订单时，请注意下列型号命名方式，编写为车载型号。
RB521SM-30FHT2R ROHM

获取价格

 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.2A, 30V V(RRM), Silicon, SC-79, 2 PIN
RB521SM-40 ROHM

获取价格

 		Schottky Barrier Diode
RB521SM-40FH ROHM

获取价格

 		车载肖特基二极管与通用品共用数据表。下订单时，请注意下列型号命名方式，编写为车载型号。
RB521SM5-40 RECTRON

获取价格

 		Reverse Voltage Vr : 40 V;Forward Current Io : 0.2 A;Max Surge Current : 1.0 A;Forward Vol
RB521SM5-40V RECTRON

获取价格

 		Forward Current Io : 0.2 A;Max Surge Current : 1.0 A;Forward Voltage Vf : 0.54 V;Reverse C

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