RB521ZS-30

更新时间： 2024-11-05 02:55:31

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罗姆 - ROHM		整流二极管肖特基二极管
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2页	78K
描述
Schottky Barrier Diode

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RB521ZS-30 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	End Of Life	包装说明：	R-XBCC-N2
针数：	2	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.70
风险等级：	5.56	Is Samacsys：	N
其他特性：	HIGH RELIABILITY	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：	R-XBCC-N2	JESD-609代码：	e2
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	最大输出电流：	0.1 A
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	30 V
表面贴装：	YES	技术：	SCHOTTKY
端子面层：	TIN COPPER	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	10
Base Number Matches：	1

RB521ZS-30 数据手册

RB521ZS-30

Diode

Schottky Barrier Diode

RB521ZS-30

●Applications

●Dimensions（Unit : mm）

●Land size figure(Unit : mm)

General rectification

0.31

●Features

1)Ultra small mold type.（GMD2）

2)Low VF

ＡB

0～0.03

3)High reliability

GMD2

0.3±0.05

●Construction

0.3±0.03

Silicon epitaxial

●Structure

ROHM : GMD2

dot (year week factory)

●Taping specifications（Unit : mm）

●Absolute maximum ratings（Ta=25℃）

Parameter

Reverse voltage (DC)

Limits

Symbol

V_R

Unit

Average rectified forward current

Forward current surge peak（60Hz・1cyc）

Junction temperature

100

500

150

I_FSM

℃

Storage temperature

-40 to +150

Tstg

℃

●Electrical characteristics（Ta=25℃）

Parameter

Forward voltage

Conditions

Symbol

Min.

Typ.

Max.

0.37

Unit

V_F

I_R

I_F=10mA

V_R=10V

Reverse current

µA

1/1

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RB521ZS-30 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
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