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RB521ZS-30T2R

更新时间: 2024-11-05 12:02:03
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 肖特基二极管
页数 文件大小 规格书
4页 132K
描述
Schottky Barrier Diode

RB521ZS-30T2R 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete包装说明:DFN0603-2, 2 PIN
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.70风险等级:7.66
其他特性:HIGH RELIABILITY配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):0.37 VJESD-30 代码:R-PBCC-N2
最大非重复峰值正向电流:500 A元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:150 °C
最大输出电流:0.1 A封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:CHIP CARRIER
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED最大重复峰值反向电压:30 V
子类别:Rectifier Diodes表面贴装:YES
技术:SCHOTTKY端子形式:NO LEAD
端子位置:BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

RB521ZS-30T2R 数据手册

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RB521ZS-30  
Diodes  
Schottky Barrier Diode  
RB521ZS-30  
zApplications  
zDimensions (Unit : mm)  
General rectification  
zFeatures  
1) Ultra small mold type.GMD2)  
2) Low VF  
D
0~0.03  
3) High reliability  
ROHM : GMD2  
JEDEC : -  
JEITA : -  
0.27±0.03  
0.3±0.05  
0.3±0.03  
dot(year week factory)  
zConstruction  
zLand size figure (Unit : mm)  
zStructure  
Silicon epitaxial planar  
0.31  
GMD2  
zTaping specifications (Unit : mm)  
zAbsolute maximum ratings (Ta=25°C)  
Parameter  
Reverse voltage (DC)  
Limits  
30  
Symbol  
VR  
Unit  
V
Average rectified forward current  
Forward current surge peak 60Hz1cyc)  
Junction temperature  
100  
Io  
IFSM  
Tj  
mA  
mA  
500  
150  
Storage temperature  
-40 to +150  
Tstg  
zElectrical characteristic (Ta=25°C)  
Parameter  
Conditions  
Symbol  
Min.  
Typ.  
Max.  
0.37  
7
Unit  
V
VF  
IR  
Forward voltage  
Reverse current  
-
-
-
-
IF=10mA  
VR=10V  
µA  
Rev.C  
1/3  

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