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RB461F

更新时间： 2024-11-07 12:20:39

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金誉半导体 - HTSEMI		肖特基二极管
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描述
SCHOTTKY DIODE

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RB461F 数据手册

RB461F

SCHOTTKY DIODE

SOT-323

1. ANODE

2. N,C

FEATURES

3. CATHODE

Low-power rectification

For switching power supply

Ultra low V_F.(V_F=0.45V Typ. at 0.7A)

I_F=0.7A guaranteed despite the size.

MARKING: 3B·

Maximum Ratings @T_A=25℃

Parameter

Symbol

Limits

Unit

Non-Repetitive Peak reverse voltage

DC Blocking Voltage

V_RM

V_R

700

150

125

Average Rectified Output Current

Power Dissipation

I_O

℃

P_D

Junction temperature

T_J

-40 to+125

Storage temperature range

T_STG

℃

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tamb=25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

V_(BR)

I_R

Test

conditions

MIN

MAX

UNIT

Reverse breakdown voltage

I_R= 200μA

Reverse voltage

Forward voltage

leakage current

V_R=20V

200

μA

V_F

I_F=700mA

0.49

JinYu

semiconductor

www.htsemi.com

Date:2011/05

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