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RB461F_11

更新时间: 2024-11-07 09:37:55
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罗姆 - ROHM 肖特基二极管
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4页 1001K
描述
Schottky Barrier Diode

RB461F_11 数据手册

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Data Sheet  
Schottky Barrier Diode  
RB461F  
Applications  
Dimensions(Unit : mm)  
Land size figure (Unit : mm)  
Low power rectification  
1.3  
2.0±0.2  
0.3±0.1  
Each lead has same dimension  
0.15±0.05  
0.65  
Features  
(3)  
1)Small mold type. (UMD3)  
2)Low VF.  
3)High reliability  
0.8MIN  
UMD3  
0~0.1  
(2)  
(1)  
(0.65)  
(0.65)  
Construction  
0.7±0.1  
0.9±0.1  
1.3±0.1  
Silicon epitaxial planer  
Structure  
ROHM : UMD3  
JEDEC : SOT-323  
JEITA : SC-70  
dot (year week factory)  
Taping specifications(Unit : mm)  
φ1.55±0.05  
2.0±0.05  
4.0±0.1  
0.3±0.1  
2.25±0.1  
ꢀꢀꢀꢀ 0  
φ0.5±0.05  
4.0±0.1  
1.25±0.1  
Absolute maximum ratings(Ta=25°C)  
Parameter  
Limits  
Symbol  
VRM  
Unit  
Reverse voltage (repetitive)  
Reverse voltage (DC)  
25  
V
V
VR  
20  
Average rectified forward current  
Forward current surge peak (60Hz1cyc) (*1)  
Junction temperature  
0.7  
Io  
IFSM  
A
3
A
125  
Tj  
°C  
°C  
Storage temperature  
40 to 125  
Tstg  
Electrical characteristics(Ta=25°C)  
Parameter  
Conditions  
IF=700mA  
VR=20V  
Symbol  
Min.  
Typ.  
Max.  
0.49  
200  
Unit  
V
VF  
IR  
Forward voltage  
Reverse current  
-
-
-
-
μA  
www.rohm.com  
© 2011 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.  
1/3  
2011.04 - Rev.C  

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