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RB471E_11

更新时间： 2024-11-07 09:37:55

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罗姆 - ROHM		肖特基二极管
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Schottky Barrier Diode

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RB471E_11 数据手册

Schottky Barrier Diode

RB471E

Applications

Dimensions(Unit : mm)

Land size figure (Unit : mm)

0.8MIN.

Low current rectification

2.9±0.2

0.15±0.1

ꢀ ꢀꢀ0.06

Each lead has same dimension

＋0.1

各リードとも同寸法

ꢀ－0.05

0.3

(1)

(2)

0.45

0.35

0.45

0.35

0.6

Features

1) Small mold type. (SMD5)

2) High reliability.

0～0.1

0.95 0.95

1.9

(5)

(4)

1.9±0.2

0.95 0.95

(3)

SMD5

0.8±0.1

1.1±0.2

0.1

Construction

Structure

Silicon epitaxial planar

ROHM : SMD5

JEITA : SC-74A

week code

Taping specifications(Unit : mm)

φ1.5±0.1

ꢀꢀꢀꢀꢀ

2.0±0.05

4.0±0.1

0.3±0.1

φ1.0MIN

4.0±0.1

3.2±0.1

1.35±0.1

Absolute maximum ratings(Ta=25°C)

Parameter

Limits

Symbol

Unit

V_RM

V_R

Reverse voltage (repetitive peak)

Reverse voltage (DC)

Average rectified forward current (*1)

Forward current surge peak (60Hz・1cyc) (*1)

Junction temperature

0.1

I_FSM

125

°C

Storage temperature

40 to 125

Tstg

(*1) Rating of per diode

Electrical characteristics(Ta=25°C)

Parameter

Conditions

I_F=100mA

Symbol

V_F1

Min.

Typ.

Max.

0.55

0.34

Unit

Forward voltage

V_F2

I_F=10mA

I_R

Reverse current

μA

V_R=10V

Capacitance between terminals

V_R=10V , f=1MHz

www.rohm.com

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2011.04 - Rev.B

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