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RB160VA-40_10

更新时间： 2022-11-17 10:20:40

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罗姆 - ROHM		二极管
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4页	287K
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Schottky Barrier Diodes

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RB160VA-40_10 数据手册

Schottky Barrier Diodes

RB160VA-40

Applications

Dimensions (Unit : mm)

 Land size figure (Unit : mm)

General rectification

1.1

0.17±0.1

ꢀꢀ 0.05

1.3±0.05

Features

1) Small mold type. (TUMD2)

2) Low V_F, Low I_R.

3) High reliability.

TUMD2

Structure

0.8±0.05

0.6±0.2

ꢀꢀꢀ 0.1

Construction

ROHM : TUMD2

dot (year week factory) + day

Silicon epitaxial planar

 Taping specifications (Unit : mm)

φ1.55±0.1

ꢀꢀꢀꢀꢀ 0.05

0.25±0.05

2.0±0.05

4.0±0.1

φ1.0±0.2

ꢀꢀꢀꢀꢀ0

1.43±0.05

0.9±0.08

Absolute maximum ratings (Ta=25C)

Parameter

Reverse voltage (repetitive)

Reverse voltage (DC)

Limits

Symbol

V_RM

V_R

Unit

Average rectified forward current

（

・

）

I_FSM

150

Forward current surge peak 60Hz 1cyc

℃

（

・

）

Forward current surge peak t=100μs 1cyc

Junction temperature

Storage temperature

-40 to +150

Tstg

Electrical characteristics (Ta=25C)

Parameter

Forward voltage

Reverse current

Conditions

Symbol

Min.

Typ.

0.50

1.5

Max.

Unit

V_F

I_R

0.55

I_F=700mA

V_R=40V

μA

www.rohm.com

2010.06 - Rev.D

1/3

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