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RB085B-30FH

更新时间： 2024-01-12 16:19:29

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罗姆 - ROHM		二极管
页数	文件大小	规格书
4页	872K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 3A, 35V V(RRM), Silicon, SC-63, 3/2 PIN

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RB085B-30FH 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Not Recommended
包装说明：	R-PSSO-G2	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.75	其他特性：	HIGH RELIABILITY
应用：	GENERAL PURPOSE	配置：	COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	0.425 V	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
最大非重复峰值正向电流：	35 A	元件数量：	2
相数：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	最大输出电流：	3 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
参考标准：	AEC-Q101	最大重复峰值反向电压：	35 V
最大反向电流：	200 µA	表面贴装：	YES
技术：	SCHOTTKY	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

RB085B-30FH 数据手册

Data Sheet

AEC-Q101 Qualified

Schottky Barrier Diode

RB085B-30FH

Applications

Dimensions(Unit : mm)

Land size figure(Unit : mm)

General rectification

6.0

ꢀꢀꢀ

Features

1.6

1)Power mold type.(CPD)

2)Low V_F

3)High reliability

CPD

2.3 2.3

Construction

Structure

(2)

Silicon epitaxial planar

(1) (3)

Taping specifications(Unit : mm)

Absolute maximum ratings(Ta=25C)

Parameter

Limits

Symbol

V_RM

Unit

Reverse voltage (repetitive peak)

Reverse voltage (DC)

V_R

Average rectified forward current(*1)

Forward current surge peak (60Hz / 1cyc)(*1)

Junction temperature

I_FSM

150

C

Storage temperature

40 to 150

Tstg

(*1)Business frequencies, Rating of R-load, 1/2 Io per diode, Tc=105°C

Electrical characteristics(Ta=25C)

Parameter

Conditions

Symbol

V_F

Min.

Typ.

Max.

0.48

300

6.0

Unit

Forward voltage

Reverse current

I_F=4.0A

V_R=30V

I_R

A

junction to case

Thermal impedance

jc

C/W

www.rohm.com

1/3

2011.04 - Rev.E

12 3 4

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