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RB085B-90

更新时间： 2024-02-26 16:21:06

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罗姆 - ROHM		肖特基二极管
页数	文件大小	规格书
4页	197K
描述
Schottky barrier diode

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RB085B-90 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.78	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	0.83 V	最大非重复峰值正向电流：	45 A
最高工作温度：	150 °C	最大输出电流：	10 A
最大重复峰值反向电压：	90 V	子类别：	Rectifier Diodes
表面贴装：	YES	技术：	SCHOTTKY

RB085B-90 数据手册

RB085B-90

Diodes

Schottky barrier diode

RB085B-90

zApplications

zDimensions (Unit : mm)

zLand size figure (Unit : mm)

General rectification

6.0

6.5±0.2

5.1±0.2

ꢀꢀꢀ 0.1

2.3±0.2

ꢀꢀꢀ 0.1

zFeatures

1) Power mold type. (CPD)

0.5±0.1

C0.5

2) Low V

1.6

3) High reliability

①

zConstruction

0.75

0.9

（2）

CPD

2.3 2.3

Silicon epitaxial planar

0.65±0.1

（3）

0.5±0.1

1.0±0.2

（1）

zStructure

2.3±0.2 2.3±0.2

ROHM : CPD

JEITA : SC-63

①

Manufacture Date

zTaping dimensions (Unit : mm)

2.0±0.05

φ1.55±0.1

ꢀꢀꢀꢀꢀ

4.0±0.1

8.0±0.1

0.4±0.1

φ3.0±0.1

6.8±0.1

8.0±0.1

2.7±0.2

zAbsolute maximum ratings (Ta=25°C)

Parameter

Limits

Symbol

V_RM

V_R

Unit

Reverse voltage (repetitive peak)

Reverse voltage (DC)

Average rectified forward current（*1）

Forward current surge peak （60Hz・1cyc）（*1）

Junction temperature

Storage temperature

I_FSM

150

-40 to +150

℃

Tstg

(*1)Rating of per diode : Io/2

zElectrical characteristic (Ta=25°C)

Parameter

Forward voltage

Reverse current

Conditions

I_F=5.0A

Symbol

V_F

Min.

Typ.

Max.

0.83

150

6.0

Unit

I_R

µA

V_R=90V

Thermal impedance

θjc

℃/W

junction to case

1/3

12 3 4

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