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RB085B-90_09

更新时间： 2024-01-28 00:12:34

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罗姆 - ROHM		肖特基二极管
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4页	464K
描述
Schottky Barrier Diode

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RB085B-90_09 数据手册

Schottky Barrier Diode

RB085B-90

zApplication

zDimensions(Unit : mm)

zLand size figure(Unit : mm)

6.0

General rectification

zFeatures

1.6

1)Power mold type.(CPD)

2)Low V_F

3)High reliability

2.3 2.3

CPD

zConstruction

zStructure

(2)

Silicon epitaxial planar

ROHM : CPD

JEITA : SC-63

Manufacture Date

(1) (3)

zTaping dimensions(Unit : mm)

zAbsolute maximum ratings(Ta=25°C)

Parameter

Limits

Symbol

V_RM

V_R

Unit

Reverse voltage (repetitive peak)

Reverse voltage (DC)

Average rectified forward current(*1)

Forward current surge peak(60Hz / 1cyc)(*1)

Junction temperature

I_FSM

150

°C

Storage temperature

-40 to +150

Tstg

(*1)Business frequencies, Rating of R-load, Tc=85°C Max.

zElectrical characteristic(Ta=25°C)

Parameter

Conditions

Symbol

V_F

Min.

Typ.

Max.

0.83

150

6.0

Unit

Forward voltage

Reverse current

I_F=5.0A

V_R=90V

I_R

µA

Thermal impedance

junction to case

θjc

°C/W

www.rohm.com

2009.11 - Rev.C

1/3

12 3 4

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