RB085T-60NZ

更新时间： 2024-02-25 07:56:49

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罗姆 - ROHM		肖特基二极管
页数	文件大小	规格书
4页	1004K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 5A, 60V V(RRM), Silicon, TO-220AB, TO-220FN, 3 PIN

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RB085T-60NZ 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	TO-220FN, 3 PIN	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.62	其他特性：	HIGH RELIABILITY
应用：	GENERAL PURPOSE	外壳连接：	ISOLATED
配置：	COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	0.58 V
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
最大非重复峰值正向电流：	100 A	元件数量：	2
相数：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	最大输出电流：	5 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压：	60 V	最大反向电流：	300 µA
表面贴装：	NO	技术：	SCHOTTKY
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

RB085T-60NZ 数据手册

Data Sheet

Schottky barrier diode

RB085T-60

Applications

Dimensions (Unit : mm)

Structure

Switching power supply

Features

1) Cathode common type.

(TO-220)

(1) (2) (3)

2) Low I_R

3) High reliability

Construction

Silicon epitaxial planer

Absolute maximum ratings (Ta=25C)

Parameter

Limits

Symbol

V_RM

V_R

Unit

Reverse voltage (repetitive peak)

Reverse voltage (DC)

Average rectified forward current (*1)

Forward current surge peak (60Hz / 1cyc) (*1)

Junction temperature

100

I_FSM

150

C

Storage temperature

40 to 150

Tstg

(*1)Business frequencies, Rating of R-load, 1/2 Io per diode, Tc=130C

Electrical characteristic (Ta=25C)

Parameter

Conditions

Symbol

V_F

Min.

Typ.

Max.

0.58

300

2.5

Unit

Forward voltage

Reverse current

I_F=5A

I_R

V_R=60V

A

Thermal impedance

junction to case

jc

C/W

www.rohm.com

2011.04 - Rev.D

1/3

12 3 4

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