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RB088B150

更新时间： 2024-01-06 10:24:33

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罗姆 - ROHM		肖特基二极管
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Schottky Barrier Diode

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RB088B150 数据手册

RB088B150

Data Sheet

Schottky Barrier Diode

RB088B150

lApplications

Switching power supply

lExternal Dimensions(Unit : mm)

lLand Size Figure(Unit : mm)

6.0

2.3±0.2

6.5±0.2

0.1

0.5±0.1

C0.5

5.1±0.2

0.1

lFeatures

1)Cathode common dual type

2)Low IR

3)High reliability

4)AEC-Q101 qualified

1.6

0.75

0.65±0.1

0.9

(2)

CPD

2.3 2.3

(1)

(3)

0.5±0.1

1.0±0.2

lConstruction

2.3±0.2 2.3±0.2

Silicon epitaxial

lStructure

ROHM : CPD

JEITA : SC-63

Manufacture

lTaping Dimensions(Unit : mm)

2.0±0.05

φ 1.55±0.1

ꢀꢀꢀꢀꢀ

4.0±0.1

8.0±0.1

0.4±0.1

φ 3.0±0.1

6.8±0.1

8.0±0.1

2.7±0.2

lAbsolute Maximum Ratings(Ta=25°C)

Parameter

Reverse voltage (repetitive)

Reverse voltage (DC)

Limits

150

Symbol

V_RM

Unit

V_R

Average rectified forward current (*1)

Forward current surge peak (60Hz・1cyc)(*2)

Junction temperature

I_FSM

150

°C

Storage temperature

Tstg

-55 to +150

(*1) 1/2 Io per Diode. Mounting on epoxi board. 180°Half sine wave

(*2) Per Diode.

lElectrical Characteristics(Ta=25°C)

Parameter

Forward voltage

Conditions

I_F=5.0A

V_R=150V

Symbol

Min.

Typ.

0.78

Max.

0.88

Unit

V_F

I_R

Reverse current

www.rohm.com

1/4

2012.08 - Rev.A

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